物性數據1.性狀：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點（oC）：21825.沸點（oC,常壓）：未確定6.沸點（oC，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定氧化鉿必要的急救措施描述？上海氧化鉿純度

在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對此研究較少。性質氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無Chemicalbook機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。安徽什么是氧化鉿氧化鉿的水溶性怎么樣？

產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來越薄，但是漏電流的數值會因為量子效Chemicalbook應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。用途為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

CAS號:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號:235-013-2相關類別:稀有金屬;通用試劑;催化和無機化學;粉體;鉿;氧化物;無機物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常規(guī)氧化物粉體-氧化鉿;氧化物-氧化鉿;無機粉體;金屬粉末Mol文件:氧化鉿性質熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數據庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿基本的理化特性的信息？

物理性質氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃Chemicalbook時開始轉化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿的沸點是多少？上海氧化鉿純度

氧化鉿的應用領域有那些？上海氧化鉿純度

用途為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關編碼28259085應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。上海氧化鉿純度