光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料，為推動光刻膠等半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，近年來，我國發(fā)布了多項利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品，主動尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化?，F(xiàn)階段，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材、彤程新材、華懋科技、南大光電等，在國產(chǎn)替代大契機(jī)下，國內(nèi)光刻膠企業(yè)將迎來發(fā)展良機(jī)。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)逐漸意識到材料國產(chǎn)化的重要性，國內(nèi)廠商也在積極研發(fā)產(chǎn)品、加速客戶和產(chǎn)品導(dǎo)入、擴(kuò)建相關(guān)產(chǎn)能，在探索中砥礪前行，從而抓住國產(chǎn)化的契機(jī)。目前已有少數(shù)企業(yè)已開始嶄露頭角，實現(xiàn)從0到1的突破。光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。嘉定KrF光刻膠曝光

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度；當(dāng)浸沒工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。TFT-LCD正性光刻膠溶劑光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實現(xiàn)功能的要點，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。針對以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商重要的技術(shù)。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻。國內(nèi)光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超。華東ArF光刻膠印刷電路板

光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路、顯示、PCB 等領(lǐng)域，是光刻工藝的重要材料。嘉定KrF光刻膠曝光

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學(xué)固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng)，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。嘉定KrF光刻膠曝光

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