浸沒(méi)光刻：在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒(méi)光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射，波長(zhǎng)變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過(guò)兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的一種方法是在開(kāi)始光刻過(guò)后平移同一個(gè)光罩進(jìn)行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個(gè)過(guò)程。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。上海LCD觸摸屏用光刻膠樹(shù)脂

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅(jiān)膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過(guò)程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加。從全球市場(chǎng)來(lái)看，專注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%，達(dá)到19億美元。昆山彩色光刻膠集成電路材料光刻膠只是一種形象的說(shuō)法，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。

在平板顯示行業(yè)：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜版對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

在PCB行業(yè)；主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進(jìn)行曝光顯影；濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上，待其干燥后進(jìn)行曝光顯影。干膜與濕膜各有優(yōu)勢(shì)，總體來(lái)說(shuō)濕膜光刻膠分辨率高于干膜，價(jià)格更低廉，正在對(duì)干膜光刻膠的部分市場(chǎng)進(jìn)行替代。

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開(kāi)始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中，樹(shù)脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯。化學(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會(huì)移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹(shù)脂變得易于溶解?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時(shí)具有高對(duì)比度，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn)。按照曝光波長(zhǎng)分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長(zhǎng)的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來(lái)說(shuō)，在使用工藝方法一致的情況下，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳。按曝光波長(zhǎng)可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠、極紫外光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹(shù)脂主體，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí)，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去。由此，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除，而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中。普陀黑色光刻膠顯示面板材料

國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球，國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超。上海LCD觸摸屏用光刻膠樹(shù)脂

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái)，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。上海LCD觸摸屏用光刻膠樹(shù)脂

上海蔚云化工有限公司是以提供乙醇胺，乙二胺，丙二醇，己二酸二辛脂內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù)，為消費(fèi)者多方位提供乙醇胺，乙二胺，丙二醇，己二酸二辛脂，公司位于上海市金山區(qū)龍勝路1000號(hào)二層211室C，成立于2017-03-31，迄今已經(jīng)成長(zhǎng)為化工行業(yè)內(nèi)同類型企業(yè)的佼佼者。公司承擔(dān)并建設(shè)完成化工多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。上海蔚云化工將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù)，滿足國(guó)內(nèi)外廣大客戶的需求。