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i線光刻膠曝光

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-09-01

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢,自 2011年至今,光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達(dá)到11%,高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,全球占比約 10%,發(fā)展空間巨大。目前,中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。產(chǎn)品純度、金屬離子雜質(zhì)控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術(shù)難關(guān),光刻膠純度不足會導(dǎo)致芯片良率下降。i線光刻膠曝光

美國能源部布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積(ALD)系統(tǒng),將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)與氧化鋁結(jié)合起來,創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無機(jī)光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后,引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散,與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起。然后,他們引入了另一種前驅(qū)物(例如水),與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP(一種昂貴的光刻膠)和二氧化硅。蘇州i線光刻膠集成電路材料高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),全球供應(yīng)市場高度集中。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游:為光刻膠制造環(huán)節(jié),當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)、東京應(yīng)化、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游:主要涉及半導(dǎo)體、平板顯示器、PCB等領(lǐng)域。伴隨消費(fèi)升級、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對半導(dǎo)體、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求,將帶動光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展。

此外,光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期,遵從摩爾定律的指引,半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um(350nm)以下,因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短,衍射作用小,所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展,248nm(KrF)、193nnm(ArF)的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實(shí)際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng),KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜,技術(shù)壁壘高,其研發(fā)和量產(chǎn)對企業(yè)都具有極高要求。

按顯示效果分類;光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,區(qū)別在于主要原材料不同。

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),可以制成正性光刻膠;光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,可以制成負(fù)性光刻膠。 光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。i線光刻膠曝光

經(jīng)過多年技術(shù)積累,國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能,國內(nèi)公司市場份額逐步提升,國產(chǎn)替代正在進(jìn)行。i線光刻膠曝光

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家,分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,這四家的市場份額達(dá)到72%,市場集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán)。(1)g/i線光刻膠市場:日本的東京應(yīng)化、JSR、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%、15%、15%、8%的份額,在全球市場占據(jù)64%份額。(2)KrF光刻膠市場:日本企業(yè)東京應(yīng)化、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場分別占據(jù)34%、22%和18%份額,合計(jì)占比達(dá)到74%。(3)ArF光刻膠市場:日本企業(yè)JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場25%、23%、20%和15%市場份額,合計(jì)市場份額達(dá)到83%。(4)EUV光刻膠市場:較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo),日本JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺積電兩家公司。i線光刻膠曝光

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標(biāo)簽: 三氟乙酸電子級 光刻膠