環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團的交聯(lián)劑參加反應，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結構的不溶性物質。在選擇光刻膠時需要考慮化學性質、照射時間、敏感度和穩(wěn)定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。浦東光交聯(lián)型光刻膠單體

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應商和光刻機、顯影機、檢測與測試等設備供應商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù)。從設備市場來看，中國在光刻機、顯影機、檢測與測試設備行業(yè)的起步時間較晚，且這些設備具備較高的制造工藝壁壘，導致中國在光刻膠、顯影機、檢測與測試設備的國產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國產(chǎn)化程度會越來越高。上海光交聯(lián)型光刻膠集成電路材料以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好 。此性質深受光刻膠材質本身物理化學性質的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動。因此，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質量的關鍵因素。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴于曝光設備，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創(chuàng)造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內(nèi)部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學物質結合到一起。然后，他們引入了另一種前驅物（例如水），與前驅物反應形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。產(chǎn)品純度、金屬離子雜質控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術難關，光刻膠純度不足會導致芯片良率下降。

離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似，不需要掩膜板，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm），因此利用離子光學系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束，從而進行高分辨率的離子束曝光。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。嘉定g線光刻膠其他助劑

我國光刻膠行業(yè)起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。浦東光交聯(lián)型光刻膠單體

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對光刻膠的化學性質幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學性質。根據(jù)應用領域，光刻膠可分為半導體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術壁壘依次降低（半導體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產(chǎn)化進程來看，PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進度較快，LCD光刻膠替代進度相對較快，而在半導體光刻膠領域國產(chǎn)技術較國外先進技術差距比較大。浦東光交聯(lián)型光刻膠單體