受制于國內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國內(nèi)市場份額仍然較小，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來看，目前中國本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國際先進(jìn)水平存在明顯差距，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對企業(yè)都具有極高要求。濕膜光刻膠曝光

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學(xué)固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng)，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。昆山干膜光刻膠光致抗蝕劑有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料。

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國家學(xué)習(xí)，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。國內(nèi)光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超。

半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證，有望在未來形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi)，無法囤貨，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。目前，我國光刻膠自給率較低，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品，國產(chǎn)替代的空間廣闊。江浙滬g線光刻膠單體

半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法。濕膜光刻膠曝光

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢。濕膜光刻膠曝光