一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅，也可以為化合物半導(dǎo)體）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜，確保光刻膠溶劑全部揮發(fā)。3）曝光。經(jīng)過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內(nèi)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。4）后烘。某些光刻膠除了需要發(fā)生光反應(yīng)，還需要進(jìn)行熱反應(yīng)，因此需要在曝光后對(duì)光刻膠膜再次烘烤。5）顯影。曝光（及后烘）后，光刻膠的溶解性能發(fā)生改變，利用適當(dāng)?shù)娘@影液將可溶解區(qū)域去除。經(jīng)過這些過程，就完成了一次光刻工藝，后續(xù)將視器件制造的需要進(jìn)行刻蝕、離子注入等其他工序。一枚芯片的制造，往往需要幾次甚至幾十次的光刻工藝才能完成。國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球，國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超。浙江半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑
除了枝狀分子之外，環(huán)狀單分子樹脂近年來(lái)也得到了迅速發(fā)展。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性。由于構(gòu)象較多，此類分子也難以結(jié)晶，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組，2002年起，他們報(bào)道了具有間苯二酚結(jié)構(gòu)的杯芳烴在365nm光刻中的應(yīng)用。2007年，瑞士光源的Solak等利用對(duì)氯甲氧基杯芳烴獲得了線寬12.5nm、占空比1∶1的密集線條，但由于為非化學(xué)放大光刻膠，曝光機(jī)理為分子結(jié)構(gòu)被破壞，靈敏度較差，為PMMA的1/5。光交聯(lián)型光刻膠按曝光波長(zhǎng)可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠、極紫外光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。
全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法，全息光刻用來(lái)產(chǎn)生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高，側(cè)壁可以達(dá)到原子級(jí)光滑，光柵線條的高度比可以高達(dá)160。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時(shí)存在著橫向鉆蝕，所以要獲得大高度比的硅光柵，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大，且越大越好。占寬比越大，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大，成功率越高，光柵質(zhì)量越好。
更高的分辨率和抗刻蝕性，合適的靈敏度，更低的粗糙度，依然是研發(fā)人員需要繼續(xù)努力的目標(biāo)。隨著3nm乃至2nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)進(jìn)入半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的日程表，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)線寬的光刻技術(shù)和光刻膠也應(yīng)該早日成熟。臺(tái)積電在5nm制程中已經(jīng)用到了多達(dá)14層的EUV光刻，3nm制程對(duì)EUV光刻的需求量顯然只會(huì)更多，要求也只會(huì)更高。此外，EUV光刻過程中也有許多機(jī)理問題尚需進(jìn)一步明確，尤其是起步較晚的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠，現(xiàn)有光刻機(jī)理報(bào)道之間常常見到矛盾的論述。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。
2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評(píng)測(cè)了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線寬35nm、占空比1∶1的圖案和線寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過，KRS在曝光過程中需要有少量的水參與，因此其曝光設(shè)備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環(huán)境中進(jìn)行，任何氣體的引入都會(huì)導(dǎo)致真空環(huán)境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現(xiàn)出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)中。上述化學(xué)放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術(shù)的不斷進(jìn)展，舊材料已不能滿足需求。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。上海濕膜光刻膠印刷電路板
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。浙江半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑
1983年，Joy以PMMA作為模型化合物，利用蒙特卡羅方法計(jì)算了EUV光刻的空間分辨率。1989年，Kurihara課題組利用PMMA評(píng)測(cè)了光學(xué)器件，并測(cè)試了EUV光對(duì)PMMA膜的透過性。1990年，Windt課題組利用14nmEUV光對(duì)PMMA光刻膠進(jìn)行光刻，獲得了50nm的線條。2001~2004年，Bokor課題組利用PMMA光刻膠、Shipley公司早期工具光刻膠EUV-2D先后評(píng)測(cè)了其自制的EUV光刻設(shè)備和美國(guó)光源的EUV光刻線站的性能。可見，在EUV光技術(shù)發(fā)展早期，PMMA光刻膠對(duì)EUV光刻設(shè)備的調(diào)試、測(cè)試起了重要作用。但是PMMA的曝光機(jī)理不涉及化學(xué)放大過程，因此其靈敏度較差，而早期制約EUV光刻技術(shù)發(fā)展的瓶頸問題之一便是曝光光源功率很小，因而以PMMA為主的非化學(xué)放大型光刻膠一度被化學(xué)放大型光刻膠取代。浙江半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑