全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法，全息光刻用來(lái)產(chǎn)生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高，側(cè)壁可以達(dá)到原子級(jí)光滑，光柵線條的高度比可以高達(dá)160。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時(shí)存在著橫向鉆蝕，所以要獲得大高度比的硅光柵，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大，且越大越好。占寬比越大，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大，成功率越高，光柵質(zhì)量越好。在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。浦東彩色光刻膠顯影
2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評(píng)測(cè)了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線寬35nm、占空比1∶1的圖案和線寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過(guò)，KRS在曝光過(guò)程中需要有少量的水參與，因此其曝光設(shè)備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環(huán)境中進(jìn)行，任何氣體的引入都會(huì)導(dǎo)致真空環(huán)境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現(xiàn)出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)中。上述化學(xué)放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術(shù)的不斷進(jìn)展，舊材料已不能滿足需求。浦東彩色光刻膠顯影碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用。
無(wú)論是高分子型光刻膠，還是單分子樹(shù)脂型光刻膠，都難以解決EUV光吸收和抗刻蝕性兩大難題。光刻膠對(duì)EUV吸收能力的要求曾隨著EUV光刻技術(shù)的進(jìn)展而發(fā)生改變，而由于EUV光的吸收只與原子有關(guān)，因而無(wú)論是要透過(guò)性更好，還是要吸收更強(qiáng)，只通過(guò)純有機(jī)物的分子設(shè)計(jì)是不夠的。若想降低吸收，則需引入低吸收原子；若想提高吸收，則需引入高吸收原子。此外，由于EUV光刻膠膜越來(lái)越薄，對(duì)光刻膠的抗刻蝕能力要求也越來(lái)越高，而無(wú)機(jī)原子的引入可以增強(qiáng)光刻膠的抗刻蝕能力。于是針對(duì)EUV光刻，研發(fā)人員設(shè)計(jì)并制備了一大批有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化型光刻膠。這類光刻膠既保留了高分子及單分子樹(shù)脂光刻膠的設(shè)計(jì)靈活性和較好的成膜性，又可以調(diào)節(jié)光刻膠的EUV吸收能力，增強(qiáng)抗刻蝕性。
研究人員將金屬納米簇用于EUV光刻時(shí)，制備了幾種結(jié)構(gòu)為［（RSn）12O14（OH）6］X2（其中R為有機(jī)配體，X為羧酸平衡陰離子）的錫氧納米簇。錫氧納米簇對(duì)EUV光的吸收比有機(jī)光刻膠吸收要強(qiáng)，因此可以顯著提高光刻膠的靈敏度；此外納米簇的體積也小于金屬氧化物的納米顆粒，可以獲得更高的分辨率、更低的粗糙度。光照下，錫-碳鍵解離，形成Sn自由基，Sn自由基引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)使納米簇聚集，使其無(wú)法溶解于顯影液，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)性光刻。通過(guò)改變金屬簇的有基配體和平衡陰離子，他們發(fā)現(xiàn)光刻靈敏度只與配體的鍵能相關(guān)，而與陰離子的鍵能無(wú)關(guān)。光照會(huì)同時(shí)產(chǎn)生Sn自由基和配體自由基，Sn相對(duì)穩(wěn)定，因此，配體自由基的穩(wěn)定性影響了反應(yīng)的進(jìn)行。此外，盡管陰離子不參與反應(yīng)，但由于位阻作用，它們依然可以影響金屬簇的聚集。這種光刻膠可以獲得分辨率為18nm的光刻圖形，但靈敏度很差，曝光劑量高達(dá)350mJ·cm?2。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。
高分子化合物是很早被應(yīng)用為光刻膠的材料。中文“光刻膠”的“膠”字起初對(duì)應(yīng)于“橡膠”，而至今英文中也常將光刻膠主體材料稱為“resin”（樹(shù)脂），其背后的緣由可見(jiàn)一斑。按照反應(yīng)機(jī)理，高分子光刻膠基本可以分為兩類：化學(xué)放大光刻膠和非化學(xué)放大光刻膠?；瘜W(xué)放大機(jī)理起初由美國(guó)IBM公司于1985年提出，后來(lái)被廣泛應(yīng)用于KrF及更好的光刻工藝中。化學(xué)放大光刻膠的光敏劑為光致產(chǎn)酸劑，主體材料中具有在酸作用下可以離去的基團(tuán)，如叔丁氧羰基酯、金剛烷酯等。在光照下，光致產(chǎn)酸劑生成一分子的酸，使一個(gè)離去基團(tuán)發(fā)生分解反應(yīng)，原本的酯鍵變成羥基（通常是酚羥基），同時(shí)又產(chǎn)生一分子的酸；新產(chǎn)生的酸可以促使另一個(gè)離去基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)；如此往復(fù)，形成鏈?zhǔn)椒磻?yīng)。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中。浙江PCB光刻膠樹(shù)脂
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。浦東彩色光刻膠顯影
20世紀(jì)七八十年代，我國(guó)光刻膠研發(fā)水平一直與國(guó)外持平。1977年，化學(xué)研究所曾出版了我國(guó)一部有關(guān)光刻膠的專著《光致抗蝕劑：光刻膠》。但隨后的1990~2010年，由于缺乏芯片產(chǎn)業(yè)的牽引，我國(guó)光刻膠研發(fā)處于停滯狀態(tài)。直到2010年后，我國(guó)才又開(kāi)始重新組建光刻膠研發(fā)隊(duì)伍。目前我國(guó)的EUV光刻膠主要集中在單分子樹(shù)脂型和有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化型，暫無(wú)傳統(tǒng)高分子EUV光刻膠的相關(guān)工作見(jiàn)諸報(bào)道。我國(guó)開(kāi)展EUV光刻膠研究的主要有化學(xué)研究所楊國(guó)強(qiáng)課題組和理化技術(shù)研究所李嫕課題組。浦東彩色光刻膠顯影