與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低，通常情況下每個(gè)光刻膠分子內(nèi)只有一個(gè)或幾個(gè)金屬原子。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點(diǎn)較少；而金屬原子的配體種類較多，且容易連接活性基團(tuán)，因此金屬配合物光刻膠的設(shè)計(jì)更為靈活。但是，由于金屬原子含量低，所以金屬配合物對(duì)EUV光的吸收能力、抗刻蝕能力有可能弱于金屬納米顆粒和納米簇光刻膠。目前已有多種金屬元素的配合物被用于光刻膠，如鉍、銻、鋅、碲、鉑、鈀、鈷、鐵和鉻等。半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%。嘉定g線光刻膠其他助劑

為了解決EUV光刻面臨的新問題，適應(yīng)EUV光刻的新特點(diǎn)，幾大類主體材料相繼應(yīng)用于EUV光刻的實(shí)踐之中，常用的策略如下。1）提高靈敏度：引入對(duì)EUV吸收截面大的元素，使用活化能更低的反應(yīng)基團(tuán)和量子效率更高的光敏劑，應(yīng)用化學(xué)放大機(jī)理；2）提高分辨率：減小化合物的體積（即降低化合物的分子量），增強(qiáng)光刻膠對(duì)基底的黏附力和本身的剛性；3）降低粗糙度：減小化合物的體積或納米顆粒的尺寸，減少活性物種在體系內(nèi)部的擴(kuò)散，降低光刻膠的靈敏度；4）提高對(duì)比度：降低光刻膠主體材料對(duì)光的吸收；5）提高抗刻蝕性：引入金屬元素或芳香結(jié)構(gòu)；6）提高成膜性能：引入非對(duì)稱、非平面的柔性基團(tuán)以防止結(jié)晶。昆山光刻膠國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約88億人民幣。

2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評(píng)測(cè)了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線寬35nm、占空比1∶1的圖案和線寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過，KRS在曝光過程中需要有少量的水參與，因此其曝光設(shè)備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環(huán)境中進(jìn)行，任何氣體的引入都會(huì)導(dǎo)致真空環(huán)境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現(xiàn)出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)中。上述化學(xué)放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術(shù)的不斷進(jìn)展，舊材料已不能滿足需求。

三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產(chǎn)酸劑，也具有枝狀結(jié)構(gòu)。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們?cè)臼窍胍铣梢环N化學(xué)放大型光刻膠，但根據(jù)是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現(xiàn)負(fù)膠也可呈現(xiàn)正膠性質(zhì)。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結(jié)構(gòu)，生成的光酸不擴(kuò)散，不會(huì)引發(fā)t-Boc的離去；曝光區(qū)域不溶于水性顯影液，未曝光區(qū)域?yàn)殡x子結(jié)構(gòu)，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學(xué)放大型負(fù)性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產(chǎn)生的酸引發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，t-Boc基團(tuán)離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區(qū)域的溶解速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于未曝光區(qū)域，因此又可作為化學(xué)放大型正性光刻膠。這個(gè)工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測(cè)試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機(jī)理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設(shè)計(jì)開辟了新思路。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。

全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法，全息光刻用來產(chǎn)生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高，側(cè)壁可以達(dá)到原子級(jí)光滑，光柵線條的高度比可以高達(dá)160。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時(shí)存在著橫向鉆蝕，所以要獲得大高度比的硅光柵，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大，且越大越好。占寬比越大，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大，成功率越高，光柵質(zhì)量越好。一旦超過存儲(chǔ)時(shí)間或較高的溫度范圍，負(fù)膠會(huì)發(fā)生交聯(lián)，正膠會(huì)發(fā)生感光延遲。華東顯示面板光刻膠曝光

中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約88億人民幣。嘉定g線光刻膠其他助劑

光刻膠主要由主體材料、光敏材料、其他添加劑和溶劑組成。從化學(xué)材料角度來看，光刻膠內(nèi)重要的成分是主體材料和光敏材料。光敏材料在光照下產(chǎn)生活性物種，促使主體材料結(jié)構(gòu)改變，進(jìn)而使光照區(qū)域的溶解度發(fā)生轉(zhuǎn)變，經(jīng)過顯影和刻蝕，實(shí)現(xiàn)圖形從掩模版到基底的轉(zhuǎn)移。對(duì)于某些光刻膠來說，主體材料本身也可以充當(dāng)光敏材料。依據(jù)主體材料的不同，光刻膠可以分為基于聚合物的高分子型光刻膠，基于小分子的單分子樹脂（分子玻璃）光刻膠，以及含有無機(jī)材料成分的有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠。本文將主要以不同光刻膠的主體材料設(shè)計(jì)來綜述EUV光刻膠的研發(fā)歷史和現(xiàn)狀。嘉定g線光刻膠其他助劑