1、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來!蓄電池充放電穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊價(jià)格
晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
根據(jù)封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 鞍山行車穩(wěn)壓模塊正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)!
紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。不需要具體計(jì)算IAT、IG之值,只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯(1)在檢查大功率GTO器件時(shí),建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。
750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng):1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應(yīng)為5~10Ω。若阻值為零,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實(shí)例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測(cè)量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測(cè)量A-K極間反向電阻,同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實(shí)際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測(cè)得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測(cè)RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng):(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測(cè)量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件。正高電氣運(yùn)用高科技,不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營(yíng)發(fā)展的宗旨。
硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,能多次使用,當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,了過電壓,從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后,粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí),其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因?yàn)檎5膲好綦娮枇=鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù),標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當(dāng)大到某一電流時(shí),標(biāo)稱電壓下降到0,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。濱州小功率晶閘管模塊配件
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晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2。蓄電池充放電穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊價(jià)格
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