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北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-03-14

    500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級(jí)的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動(dòng)電路在邏輯電路驅(qū)動(dòng)時(shí)應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動(dòng),以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動(dòng)的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通,且輸入與輸出沒(méi)有相位要求:㈧LSR過(guò)壓的保護(hù):除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外,還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護(hù)電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴(kuò)展:本公司生產(chǎn)的2A、8A無(wú)RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級(jí)的可控硅觸發(fā),功率擴(kuò)展后仍具有過(guò)零特性或隨機(jī)特性。功率擴(kuò)展LSR的型號(hào)為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)?!百|(zhì)量?jī)?yōu)先,用戶至上,以質(zhì)量求發(fā)展,與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊

北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊,晶閘管模塊

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,稱為關(guān)斷過(guò)電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能,將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來(lái)。

北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊,晶閘管模塊

    單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器(英文名稱為L(zhǎng)oncontSolid-StateRelay,簡(jiǎn)稱LSR)。它為單刀單擲常開(kāi)式結(jié)構(gòu),用LED顯示工作狀態(tài)。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來(lái)的一種新型無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)器件。它可以實(shí)現(xiàn)用微弱的控制信號(hào)(幾毫安到幾十毫安)控制0.1A直至幾百A電流負(fù)載,進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)?。它為四端有源器件,兩個(gè)輸入控制端,兩個(gè)負(fù)載輸出端,輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián),輸入輸出之間為光電隔離,內(nèi)置RC吸收回路,輸入端加上直流或脈沖信號(hào),輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài)。整個(gè)器件沒(méi)有任何可動(dòng)部件或觸點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能。固態(tài)繼電器工作可靠,無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)火花、壽命長(zhǎng)、無(wú)噪聲,無(wú)電磁干擾,開(kāi)關(guān)速度快,抗干擾能力強(qiáng),且體積小,耐振動(dòng)、耐沖擊,防爆、防潮、防腐蝕,能與TTL、DTL、HTL等邏輯電路兼容,以微小的控制信號(hào)達(dá)到直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載的目的。固態(tài)繼電器目前已應(yīng)用于計(jì)算機(jī)外圍接口裝置,烘箱烘道加溫控溫恒溫系統(tǒng);數(shù)控機(jī)械、遙控系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化裝置;信號(hào)燈、交通燈、閃爍器、照明舞臺(tái)燈光控制系統(tǒng);儀器儀表、醫(yī)療器械、印染、塑料加工、辦公設(shè)備;自動(dòng)消防,保安系統(tǒng)等等。

    大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長(zhǎng)8...展開(kāi)全文一、產(chǎn)品特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝;3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù);4、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,300A以上模塊,既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷;7、安裝簡(jiǎn)單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明:三、技術(shù)參數(shù):型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式:五、產(chǎn)品應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調(diào)光;5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān);6、電機(jī)軟起動(dòng);7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗;8、電焊機(jī);9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說(shuō)明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S)。正高電氣為消費(fèi)者帶來(lái)更***的生活空間。

北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊,晶閘管模塊

    1、過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開(kāi)關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。正高電氣多方位滿足不同層次的消費(fèi)需求。北京單相整流調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

正高電氣以更積極的態(tài)度,更新、更好的產(chǎn)品,更質(zhì)量的服務(wù),迎接挑戰(zhàn)。北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)作用,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。北京工業(yè)電爐可控硅集成調(diào)壓模塊

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