2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖顯見(jiàn)，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。追問(wèn)：兄弟圖呢？回答：變頻器的基本工作原理是，首先將三相/單相交流電通過(guò)整流，使之變成直流電壓，為了保證直流電壓的穩(wěn)定，在正負(fù)兩端連接電解電容；為了提高輸入測(cè)的功率因數(shù)及減少電容的紋波電流，很多變頻器都配置直流再經(jīng)過(guò)逆變模塊的作用。正高電氣始終以適應(yīng)和促進(jìn)工業(yè)發(fā)展為宗旨。山東MTAC450晶閘管智能模塊

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)功能的模塊。當(dāng)然，即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)功能，而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等，則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用，否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。山東MTAC450晶閘管智能模塊正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無(wú)接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開(kāi)了大門(mén)。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說(shuō)磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來(lái)說(shuō)，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說(shuō)磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問(wèn)世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。

    水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場(chǎng)地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場(chǎng)滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開(kāi)關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測(cè)逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過(guò)W6來(lái)調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測(cè)得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測(cè)得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門(mén)級(jí)線連接是否正確，逆變未級(jí)上的LED亮度是否正常，不亮則說(shuō)明逆變末級(jí)的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對(duì)外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級(jí)是否處在逆變橋的對(duì)角線位置。把主控板上的DIP開(kāi)關(guān)均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針稍微旋大，這時(shí)它激頻率開(kāi)始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域，如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，可實(shí)現(xiàn)過(guò)熱、缺乏等保護(hù)功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號(hào)，該模塊的輸出電壓可通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小來(lái)平穩(wěn)地調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個(gè)或全部的過(guò)程。

電壓或電流信號(hào)可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開(kāi)，控制信號(hào)采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

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    過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開(kāi)關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。山東MTAC450晶閘管智能模塊

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