可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司憑借多年的經(jīng)驗，依托雄厚的科研實力。濰坊快恢復可控硅模塊品牌

可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當?shù)挠嗔浚?

可控硅模塊使用注意事項：

(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯(lián)使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。

(3)嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實現(xiàn)了弱電流對強電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點通斷：用無觸點開關(guān)代替交流接觸器實現(xiàn)開關(guān)控制。

導通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關(guān)系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐撦d上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。濟南小功率可控硅模塊組件

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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 濰坊快恢復可控硅模塊品牌

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