漏電流:指加一半標(biāo)稱(chēng)直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過(guò)電壓能力強(qiáng);平時(shí)漏電流小,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多,便于用戶(hù)選擇;伏安特性是對(duì)稱(chēng)的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí),熱量來(lái)不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,負(fù)載過(guò)載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管。正高電氣展望未來(lái),信心百倍,追求高遠(yuǎn)。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊
晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝;3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù);4、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,300A以上模塊,既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷;7、安裝簡(jiǎn)單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明:三、技術(shù)參數(shù):型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式:五、產(chǎn)品應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調(diào)光;5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān);6、電機(jī)軟起動(dòng);7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗;8、電焊機(jī);9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說(shuō)明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下,Itsm()=(10ms),I2t()=。內(nèi)蒙古蓄電池充放電單相交流調(diào)壓模塊正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**!
所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,所述晶閘管單元中,所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類(lèi)似地,所述第二晶閘管單元中,所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門(mén)極銅排的安裝,所述外殼1上還設(shè)置有門(mén)極銅排安裝座。綜上所述,本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個(gè)實(shí)施方式*包含一個(gè)**的技術(shù)方案。
晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門(mén)極電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,而門(mén)極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下。從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2。正高電氣企業(yè)文化:服務(wù)至上,追求超越,群策群力,共赴超越。
額定電壓V1mA的下限是線(xiàn)路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶(hù)在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)作用,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。正高電氣公司自成立以來(lái),一直專(zhuān)注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。內(nèi)蒙古蓄電池充放電單相交流調(diào)壓模塊
“質(zhì)量?jī)?yōu)先,用戶(hù)至上,以質(zhì)量求發(fā)展,與用戶(hù)共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊
電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù):電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件,如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對(duì)上述問(wèn)題,有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門(mén)極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板,所述壓塊設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門(mén)極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門(mén)極壓接式組件上。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊
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