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陜西高壓可控硅模塊

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-18

可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽(yù)。陜西高壓可控硅模塊

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可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性,相當(dāng)于或類似于可控制的單向(或雙向)二極管,利用其可控功能,實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外,晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程:

1、可控整流:將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電;

2、逆變器:將直流電轉(zhuǎn)換成交流電;

3、變頻:將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電;

4、交流調(diào)壓:將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓;

5、斬波:將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓;

6、無觸點(diǎn)通斷:用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制。 內(nèi)蒙古小功率可控硅模塊價(jià)格誠信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。

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可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;

I負(fù)載:負(fù)載流過的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):


1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過載能力差,短時(shí)間的過流,過壓都會(huì)造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取;

(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識(shí)中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。


可控硅模塊的工作條件:

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴!安徽可控硅模塊報(bào)價(jià)

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