可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用。
可控硅模塊的操控辦法
經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號,經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。
電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。
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可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,即高于電流IL??煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽極電壓。
2.增加負(fù)載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),希望能幫助您 江蘇可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù),確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。
選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇,希望對您有所幫助。
選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面,應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時(shí),除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:
(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷:風(fēng)速≥6m/s,風(fēng)溫≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;
(4)空氣相對濕度≤85%;
(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;
(6)氣壓86—106Kpa;
(7)無劇烈震動或沖擊;
(8)若有特殊場合,應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn),證明工作可靠方可使用。 誠信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問題,負(fù)載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際
K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;
I負(fù)載:負(fù)載流過的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;
U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。江蘇可控硅模塊配件
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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時(shí)間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:
1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。
2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。
3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動效率測定同時(shí)進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度
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