可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識(shí)中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。
可控硅模塊的工作條件:
1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。
2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。
3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。
4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品,并建立了完善的服務(wù)體系。青??旎謴?fù)可控硅模塊廠家
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際
K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;
I負(fù)載:負(fù)載流過的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;
U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 青??旎謴?fù)可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊(duì)從用戶需求出發(fā)。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí),應(yīng)注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素,同時(shí),管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時(shí),使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應(yīng)立即更換。
3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應(yīng)安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí),為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據(jù)規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。
6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司堅(jiān)持“顧客至上,合作共贏”。
可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司以***,高質(zhì)量的產(chǎn)品,滿足廣大新老用戶的需求。青??旎謴?fù)可控硅模塊廠家
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斷一個(gè)可控硅元件是否完好,工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制極開路時(shí),陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。
想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡(jiǎn)單,只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。 青海快恢復(fù)可控硅模塊廠家
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