正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn),應(yīng)用于各行業(yè),**省內(nèi)外地區(qū)。
可控硅模塊的分類
可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來(lái)!甘肅雙向可控硅模塊廠家
相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣,但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數(shù)有:
(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 甘肅雙向可控硅模塊廠家我們?cè)概c您共同努力,共擔(dān)風(fēng)雨,合作共贏。
可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長(zhǎng)期可靠地工作,設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,千萬(wàn)不可大意!散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等??紤]散熱問題的總原則是:控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫
過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來(lái)講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。
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可控硅模塊在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實(shí)現(xiàn)交流/直流的轉(zhuǎn)換。
無(wú)觸點(diǎn)電源靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):晶閘管模塊作為電源開關(guān)元件,可在開關(guān)頻率較高的場(chǎng)合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,如可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。晶閘管模塊廣泛應(yīng)用于家用電器的工業(yè)控制領(lǐng)域,如調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、語(yǔ)音控制電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、玩具裝置等。電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等領(lǐng)域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。西藏大功率可控硅模塊組件
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單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。 甘肅雙向可控硅模塊廠家
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