晶閘管調(diào)光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構(gòu)成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調(diào)電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進(jìn)而改變燈泡EL的亮度。控制電路由單結(jié)晶體管觸發(fā)電路構(gòu)成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調(diào)節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經(jīng)RP、R3對C充電，C兩端電壓上升到單結(jié)晶體管峰點電壓Up時，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產(chǎn)生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發(fā)脈沖，其中個脈沖使晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，后面的脈沖對晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當(dāng)電容兩端電壓下降至單結(jié)晶體管谷點電壓Uv時，單結(jié)晶體管重新截止；電容C重新充電，重復(fù)上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個過程反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)梯形電壓過零點時，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續(xù)充放電的起點，就是電源電壓過零點，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測量儀表及電路元件明細(xì)表電路元件明細(xì)表晶閘管調(diào)光電路的元件明細(xì)表如表12—1所示。四、安裝與調(diào)試。公司實力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。MTDC55晶閘管智能模塊哪家好

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補(bǔ)償中一個重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān)，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴(yán)重時，會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負(fù)荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運(yùn)用壽命短，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場合?？煽毓柰肚虚_關(guān)，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網(wǎng)無沖擊，反響速度快等特性，會產(chǎn)生很高的溫升，需求運(yùn)用**散熱器，來處理其通風(fēng)散熱問題，一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商，嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié)，努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等，能實現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能，可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。MTDC55晶閘管智能模塊哪家好正高電氣為客戶服務(wù)，要做到更好。

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機(jī)定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現(xiàn)軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調(diào)速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉(zhuǎn)矩。價格貴是制約其作為軟起動應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導(dǎo)電的本質(zhì)是離子導(dǎo)電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導(dǎo)率，極板距離和電導(dǎo)率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復(fù)性差。二是移動極板需要有一套伺服機(jī)構(gòu)，它的移動速度較慢。正高電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！山東MTDC30晶閘管智能模塊品牌

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晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：

I>K×I負(fù)載×U較大∕U實際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流；    U實際：負(fù)載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電流一定要大于該值。

例：某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調(diào)350V～450V，應(yīng)選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負(fù)載,按公式輸出電流應(yīng)不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 MTDC55晶閘管智能模塊哪家好

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