只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度。

這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。臨沂雙向可控硅模塊品牌

可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：

（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。

（2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無(wú)空腔，導(dǎo)熱性好。

（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，保證安全。

（6）通過(guò)輸入0-10V直流控制信號(hào)，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

（7）可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。

（8）適用于電阻和電感負(fù)載。 青海大功率可控硅模塊品牌淄博正高電氣有限公司不斷完善自我，滿足客戶(hù)需求。

過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類(lèi)型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時(shí)間長(zhǎng)了，它的溫度就會(huì)升高，如果溫度過(guò)高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來(lái)看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定：在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì)，溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高，溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹(shù)百年品牌為使命，傾力為客戶(hù)創(chuàng)造更大利益！臨沂雙向可控硅模塊品牌

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可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。

  陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。 臨沂雙向可控硅模塊品牌

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