晶閘管模塊的工作條件:
1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時,只有在門級承受正向電壓時,晶閘管才打開。此時,晶閘管處于正導通狀態(tài),這就是晶閘管的晶閘管特性,即可控特性。
2.晶閘管模塊開著時,只要有一定的正極電壓,不管門級電壓是多少,晶閘管都繼續(xù)工作,即晶閘管接通后,門級就失去了功能。門級只會起到觸發(fā)的作用。
3.當主電路電壓(或電流)降至接近零時,當主電路電壓(或電流)降為零時,晶閘管模塊被關閉。
4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,無論門級承受何種電壓,晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。 正高電氣通過專業(yè)的知識和可靠技術為客戶提供服務。連云港晶閘管智能模塊供應商
由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。連云港行車穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。
電力電子開關技術領域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術:電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件,如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中,現有的晶閘管*能夠實現單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門極壓接式組件、導電片、第二導電片、瓷板,所述壓塊設置于所述門極壓接式組件上,并通過所述門極壓接式組件對所述導電片、第二導電片、瓷板施加壓合作用力,所述導電片、第二導電片、瓷板依次設置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設置于所述第二門極壓接式組件上。
1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數字移相觸發(fā)集成電路,實現了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導熱性能好。熱循環(huán)負載次數高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,導熱底板不帶電.絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。正高電氣材料竭誠為您服務,期待與您的合作!
另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中,以及要求工作高可靠的場合中,LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越**流固態(tài)繼電器工作原理:LSR實際是一個受控的電力電子開關,其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內部結構框圖一般情況下,萬用表不能判別LSR的好壞,正確的方法采用圖3的測試電路:當輸入電流為零時,電壓表測出的電壓為電網電壓,電燈不亮(燈泡功率須25W以上);當輸入電流達到一定值以后,電燈亮,電壓表測出的電壓為LSR導通壓降(在2V以下)。因LSR內部有RC回路而帶來漏電流,因此不能等同于普通觸點式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關用。圖3LSR測試電路㈡LSR特點交流固態(tài)繼電器與通常的電磁繼電器不同:無觸點、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件.半導體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成,以阻燃型環(huán)氧樹脂為原料,采用灌封技術持其封閉在外殼中、使與外界隔離,具有良好的耐壓、防腐、防潮抗震動性能。主要不足是存在通態(tài)壓降(需相應散熱措施),有斷態(tài)漏電流,觸點組數少,另外過電流、過電壓及電壓上升率、電流上升率等指標差。㈢LSR的分類交流固體繼電器按開關方式分有電壓過零導通型。正高電氣公司狠抓產品質量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。棗莊高壓晶閘管模塊
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它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力??申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極。連云港晶閘管智能模塊供應商
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