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濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-12-31

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,稱為關(guān)斷過(guò)電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣交通便利,地理位置優(yōu)越。濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊

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    中頻電壓互感器過(guò)來(lái)的中頻電壓信號(hào)由CON2-1和CON2-2輸入后,分為兩路,一路由IC1A進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換后送到IC6的30P,另一路經(jīng)D7-D10整流后,又分為兩路,一路送到電壓/電流調(diào)節(jié)器,另一路送到過(guò)電壓保護(hù)。由主回路交流互感器取得的電流信號(hào),先在外部轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào),從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入,經(jīng)二極管D11-D16整流后,再分為兩路,一路作為過(guò)流保護(hù)信號(hào),另一路作為電壓/電流調(diào)節(jié)器的反饋信號(hào)。本電路逆變觸發(fā)部分,采用的是掃頻式零壓軟起動(dòng),只需取一路中頻電壓反饋信號(hào),無(wú)需槽路中頻電容器上的電流信號(hào),其本質(zhì)上相當(dāng)于它激轉(zhuǎn)自激電路,屬于平均值反饋電路。由于主回路上無(wú)需附加任何起動(dòng)電路,不需要預(yù)充磁或預(yù)充電的起動(dòng)過(guò)程,因此,主回路得以簡(jiǎn)化,調(diào)試過(guò)程簡(jiǎn)單。起動(dòng)過(guò)程大致是這樣的,在逆變電路起動(dòng)前,先以一個(gè)高于槽路諧振頻率的它激信號(hào)去觸發(fā)逆變晶閘管,當(dāng)電路檢測(cè)到主回路開(kāi)始有直流電流時(shí),便控制它激信號(hào)的頻率從高向低掃描,同時(shí)加大主回路的直流電流,當(dāng)它激信號(hào)頻率下降到接近槽路諧振頻率時(shí),中頻電壓便建立起來(lái),并反饋到自動(dòng)調(diào)頻電路。自動(dòng)調(diào)頻電路一旦投入工作,便停止它激信號(hào)的頻率往低掃描動(dòng)作,轉(zhuǎn)由自動(dòng)調(diào)頻電路控制逆變動(dòng)引前角。濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。

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晶閘管模塊使用注意事項(xiàng)

科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命,用戶可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng):

(1)初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說(shuō)明書(shū),了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法;

(2)在產(chǎn)品選型時(shí)根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量,并保證足夠的散熱條件。

(3)工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃;

(4)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體和氣體;

(5)模塊不能當(dāng)作隔離開(kāi)關(guān)使用,為保證安全,模塊前面需加空氣開(kāi)關(guān);

(6)模塊各緊固螺釘一定要擰緊,避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生,且會(huì)降低通過(guò)的電流量。初次使用應(yīng)在工作一段時(shí)間后(建議8小時(shí)之內(nèi))再把同模塊連接的所有螺釘緊固一遍;

(7)模塊基板底部的導(dǎo)熱硅脂建議三至四個(gè)月更換一次,或采用導(dǎo)熱墊,可有效延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

(8)電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定或電流變化大的場(chǎng)所一定要在產(chǎn)品輸入端安裝快速熔斷器或加裝穩(wěn)流穩(wěn)壓板。

晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中,除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外,還必須采取有效的保護(hù)措施來(lái)保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過(guò)熱保護(hù):晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣,在實(shí)際工作中由于自身功耗,都會(huì)引起芯片溫度上升,溫度過(guò)高后,會(huì)使漏電流增加,芯片特性變軟,直至過(guò)熱擊穿,在實(shí)際應(yīng)用中,通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來(lái)及時(shí)散除晶閘管工作時(shí)產(chǎn)生的熱量,控制散熱器比較高溫度不超過(guò)75°,使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,打造優(yōu)良的產(chǎn)品!

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晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域,如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口,可以與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,可實(shí)現(xiàn)過(guò)熱、缺乏等保護(hù)功能。


晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號(hào),該模塊的輸出電壓可通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小來(lái)平穩(wěn)地調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個(gè)或全部的過(guò)程。

電壓或電流信號(hào)可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取,電位器可直接與直流電源分開(kāi),控制信號(hào)采用3種常用的控制形式:0-5V、0-10V、4-20mA。


正高電氣品質(zhì)好、服務(wù)好、客戶滿意度高。濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊

正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動(dòng)不成功,即自動(dòng)調(diào)頻電路沒(méi)有抓住中頻電壓反饋信號(hào),此時(shí),它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率,重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測(cè)到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段,便進(jìn)行一次再起動(dòng),把它激信號(hào)再推到比較高頻率,重新掃描一次,直至起動(dòng)成功,重復(fù)起動(dòng)的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號(hào),經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號(hào),輸入到IC6的30角,由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號(hào)。經(jīng)IC7A隔離放大后,驅(qū)動(dòng)逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時(shí)鐘,輸入到IC6的33腳CLOK2;同時(shí)又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動(dòng)頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時(shí)鐘的比較高頻(即逆變它激信號(hào)的比較高頻率),W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外,當(dāng)發(fā)生過(guò)電壓保護(hù)時(shí),IC6內(nèi)部的過(guò)電壓保護(hù)振蕩器起振,輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動(dòng)失敗檢測(cè)器,其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動(dòng)電路。過(guò)電流保護(hù)信號(hào)經(jīng)Q3倒相后,送到IC6的20P,整流觸發(fā)脈沖:驅(qū)動(dòng)“”LED批示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器。過(guò)電流觸發(fā)器動(dòng)作后,只有通過(guò)復(fù)位信號(hào)或通過(guò)關(guān)機(jī)后再開(kāi)機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”,方可再次運(yùn)行。濟(jì)南MTDC200晶閘管智能模塊

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