可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。
可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹:
可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能,并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。 淄博正高電氣有限公司在行業(yè)的影響力逐年提升。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊組件
可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應(yīng)立即更換。
3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
遼寧快恢復(fù)可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。
(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?
可控硅模塊使用注意事項:
(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施,串并聯(lián)使用時必須有均流措施。
(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應(yīng)立即更換。
(3)嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。
可控硅模塊主要優(yōu)點如下:
(1)采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。
(2)采用進(jìn)口插入元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。
(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,導(dǎo)熱性好。
(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。
(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強(qiáng)度≥2500V,保證安全。
(6)通過輸入0-10V直流控制信號,可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。
(7)可采用手動控制、儀表控制或微機(jī)控制。
(8)適用于電阻和電感負(fù)載。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。濰坊小功率可控硅模塊哪家好
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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。
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