晶閘管模塊的散熱方法
晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等??紤]散熱的一般原則是,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。
選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素:
1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。
2、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來(lái)確定何種冷卻方式,包括自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和水冷。
3、設(shè)備的形狀和體積,為散熱預(yù)留空間的大小,根據(jù)這種情況來(lái)確定散熱器的形狀。 正高電氣我們完善的售后服務(wù),讓客戶(hù)買(mǎi)的放心,用的安心。萊蕪小功率晶閘管模塊報(bào)價(jià)
AA)替代國(guó)外模塊型號(hào)ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達(dá)PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英達(dá)PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160A/400VMITSUBITM150SZ-M;英達(dá)PFT1503NMTG300A/800VMTG(AA)200A/400VSanRexPWB200AA;MITSUBITM200SZ-M英達(dá)PFT2003N;注:上表中MTG型為普通壓降模塊;MTG(AA)為低電壓低導(dǎo)通壓降型模塊。l焊機(jī)用模塊電流和電壓計(jì)算:我公司MTG、MTG(AA)焊機(jī)**模塊可以使用在很多不同型號(hào)規(guī)格的焊機(jī)中,如ZX5普通焊機(jī);WSM直流氬弧焊機(jī);NBKCO2氣體保護(hù)焊機(jī)。這些焊機(jī)目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式,如下圖:(雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路)2該線(xiàn)路相當(dāng)于正極性和反極性?xún)山M三相半波整流電路并聯(lián)。每只晶閘管的比較大導(dǎo)通角為120o,負(fù)載電流Id同時(shí)由兩個(gè)晶閘管和兩個(gè)變壓器繞組供給,每只管子承擔(dān)1/6的Id,任何瞬時(shí),正,負(fù)極性組均有一支電路導(dǎo)通工作。2該線(xiàn)路提高了變壓器利用率。福建快恢復(fù)晶閘管模塊哪家好正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。
晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝;3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù);4、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,300A以上模塊,既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷;7、安裝簡(jiǎn)單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明:三、技術(shù)參數(shù):型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式:五、產(chǎn)品應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調(diào)光;5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān);6、電機(jī)軟起動(dòng);7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗;8、電焊機(jī);9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說(shuō)明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下,Itsm()=(10ms),I2t()=。
下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括:壓塊7、門(mén)極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述壓塊7設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件8上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。正高電氣智造產(chǎn)品,制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。廣西工業(yè)窯爐晶閘管智能調(diào)壓模塊
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電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù):電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件,如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對(duì)上述問(wèn)題,有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門(mén)極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板,所述壓塊設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門(mén)極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門(mén)極壓接式組件上。萊蕪小功率晶閘管模塊報(bào)價(jià)
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