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內蒙古可控硅模塊廠家

來源: 發(fā)布時間:2021-12-11

斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結應完好,其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通,第三是當控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應當導通,把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經擊穿短路或已經開路,此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司重信譽、守合同,嚴把產品質量關,熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業(yè)務!內蒙古可控硅模塊廠家

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可控硅模塊的設備與維護

(1)在模塊導熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要順次固定,用力要均勻,重復幾回,直至強健,使模塊底板與散熱器外表嚴密觸摸。

(2)把散熱器和風機按需求安裝好后,筆直固定于機箱合適方位。

(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

(4)為延伸商品運用壽數,主張每隔3-4個月維護一次,替換一次導熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 內蒙古可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司銳意進取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務。

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雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻,結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時,該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后,再仔細測量A1、G極間正反向電阻,讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2,紅表筆接陽極A1,此時萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線,萬用表讀數應保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數應不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。

可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去,就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作,設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,千萬不可大意!散熱器的常用散熱方式有:自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是:控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。

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可控硅模塊特點:

1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。

5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。濱州大功率可控硅模塊哪家好

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滿足可控硅模塊工作的必要條件:

(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。

(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。

(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 內蒙古可控硅模塊廠家

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