IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進行新一輪的革新升級，通過新技術的發(fā)展，現在的IGBT模塊已經成為集通態(tài)壓降低、開關速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點于一身，而這些技術特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發(fā)展帶動了功率模塊封裝技術的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導體技術，表示著中等功率模塊技術的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。芯片封裝類型：BGA（球柵陣列）封裝、SO類型封裝等。福建電子元器件特種封裝技術

貼片技術（SMT），這些SOT封裝的芯片并不是像Wafer那樣一盤幾萬顆，它的包裝形式如圖4-80（a）所示的載帶（Tape）的方式包裝，載帶卷成圓盤如圖4-80（b）所示。圖4-80（b）所示的載帶卷軸是SMT設備所接受的標準包裝，類比于Wafer是紐豹TAL-15000所接受的標準包裝一樣。（a）封裝載帶圖 （b）封裝載帶卷軸圖，SMT是表面組裝技術（表面貼裝技術，Surface Mount Technology的縮寫），是目前電子組裝行業(yè)里流行的一種技術和工藝。一般采用SMT之后，電子產品體積縮小40%～60%，重量減輕60%～80%，且具有可靠性高、抗震能力強、高頻特性好等特點。同時易于實現自動化，提高生產效率，降低成本。在超高頻RFID應用中，較常使用的是電子器件生命周期管理和特種標簽。可以回顧圖4-25，只需要在電子產品的主板上合適的位置SMT上電子標簽芯片，并在PCB板上設計天線即可。貴州半導體芯片特種封裝常見的主要有DIP直插式封裝、LGA封裝、LQFP/TQFP封裝、QFN封裝。

封裝基板的主流生產技術，主要的積層精細線路制作方法，半導體封裝基板層間互聯、積層精細線路制作方法是從高密度互聯/積層多層（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而來，HDI/BUM板制造工藝技術種類繁多，通過可生產性、可靠性和成本等各方面的優(yōu)勝劣汰和市場選擇，目前比較成熟的工藝集中在3-5種。早期的集成電路封裝基板由于封裝芯片I/O數有限，其主流制作技術是印制電路板制造通用技術—蝕刻銅箔制造電子線路技術，屬于減成法。

不同的 MOS 管封裝類型有各自的應用情況和優(yōu)缺點。不同的封裝、不同的設計，MOS 管的規(guī)格尺寸、各類電性參數等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣。因此，在選擇 MOS 管時，封裝是重要的參考因素之一。例如，對于需要高功率輸出的電路，應該選擇具有良好散熱性能的封裝，而對于需要高密度集成的電路，應該選擇小型化的封裝。設計者需要根據實際需求和電路板的安裝要求來選擇合適的封裝類型，以確保 MOS 管在實際應用中發(fā)揮較佳性能。大模塊金屬封裝的逐步普及和應用，為工業(yè)自動化和能源節(jié)約提供了可靠的技術支持。

導熱性降低導致元器件過度升溫。真空回流焊接工藝是在回流焊接過程中引入真空環(huán)境的一種回流焊接技術，相對于傳統的回流焊，真空回流焊在產品進入回流區(qū)的后段，制造一個真空環(huán)境，大氣壓力可以降到 5mbar（500pa）以下，并保持一定的時間，從而實現真空與回流焊接的結合，此時焊點仍處于熔融狀態(tài)，而焊點外部環(huán)境則接近真空，由于焊點內外壓力差的作用，使得焊點內的氣泡很容易從中溢出，焊點空洞率大幅降低。低的空洞率對存在大面積焊盤的功率器件尤其重要，由于高功率器件需要通過這些大面積焊盤來傳導電流和熱能，所以減少焊點中的空洞，可以從根本上提高器件的導電導熱性能。金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型。安徽PCBA板特種封裝方案

特種封裝指芯片特種外形封裝，和一般的芯片封裝不同。福建電子元器件特種封裝技術

HDI基板：一般采用積層法(Build-up)制造，積層的次數越多，板件的技術檔次越高。普通的HDI板基本上是1次積層，檔次高HDI采用2次或以上的積層技術，同時采用疊孔、電鍍填孔、激光直接打孔等先進PCB技術。檔次高HDI板主要應用于4G手機、高級數碼攝像機、IC載板等。在電子封裝工程中，電子基板（PCB）可用于電子封裝的不同層級（主要用于1～3級封裝的第2～5層次），只是封裝基板用于1、2級封裝的2、3層次，普通PCB用于2、3級封裝的3、4、5層次。但是它們都是為電子元器件等提供互聯、保護、支撐、散熱、組裝等功效，以實現多引腳化，縮小封裝產品體積、改善電氣性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化以及高可靠性為目的。福建電子元器件特種封裝技術