PoP封裝技術(shù)有以下幾個(gè)有點(diǎn)：1）存儲(chǔ)器件和邏輯器件可以單獨(dú)地進(jìn)行測(cè)試或替換，保障了良品率；2）雙層POP封裝節(jié)省了基板面積, 更大的縱向空間允許更多層的封裝；3）可以沿PCB的縱向?qū)ram,DdramSram,Flash,和 微處理器進(jìn)行混合裝聯(lián)；4）對(duì)于不同廠家的芯片, 提供了設(shè)計(jì)靈活性,可以簡(jiǎn)單地混合裝聯(lián)在一起以滿足客戶的需求，降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本；5）目前該技術(shù)可以取得在垂直方向進(jìn)行層芯片外部疊加裝聯(lián)；6）頂?shù)讓悠骷B層組裝的電器連接，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以應(yīng)對(duì)邏輯器件和存儲(chǔ)器件之間的高速互聯(lián)。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。遼寧模組封裝測(cè)試

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系統(tǒng)級(jí)封裝模塊需要高密度整合上百顆電子組件，同時(shí)避免與PCB主板上其他組件相互干擾。此外，在模塊外部也必須解決相同的干擾問(wèn)題。因此，必須透過(guò)一項(xiàng)重要制程來(lái)形成組件之間的屏障，業(yè)界稱之為共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在業(yè)界普遍常見(jiàn)的金屬屏蔽罩，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤(pán)與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone)，云茂電子的共形及分段型屏蔽只需10%的寬度。以一個(gè)多頻4G模塊為例，可為其他組件騰出超過(guò)17%的空間，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。 山西COB封裝廠商SiP封裝是將多個(gè)半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個(gè)相對(duì)單獨(dú)的產(chǎn)品。

SIP發(fā)展趨勢(shì)，多樣化，復(fù)雜化，密集化，SIP集成化越來(lái)越復(fù)雜，元件種類越來(lái)越多，球間距越來(lái)越小，開(kāi)始采用銅柱代替錫球。多功能化，技術(shù)前沿化，低成本化，新技術(shù)，多功能應(yīng)用較前沿，工藝成熟，成板下降。工藝難點(diǎn)，清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗(yàn)證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定，植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑要求、球體共面性檢查、BGA測(cè)試、助焊劑殘留要求。SIP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SIP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)和發(fā)展前景。。此外，國(guó)際上至今尚沒(méi)有制定出SIP技術(shù)的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度妨礙了SIP技術(shù)的推廣應(yīng)用。由此可見(jiàn)，未來(lái)SIP技術(shù)的發(fā)展還面臨著一系列的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，有待于軟件、IC、封裝、材料和設(shè)備等專業(yè)廠家密切合作，共同發(fā)展和提升SIP技術(shù)。

應(yīng)用領(lǐng)域，SiP技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，包括但不限于：智能手機(jī)和平板電腦：SiP技術(shù)使得這些設(shè)備能夠在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，如高性能處理器、內(nèi)存和傳感器?？纱┐髟O(shè)備：支持可穿戴設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)，同時(shí)集成必要的傳感器和處理能力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備：為IoT設(shè)備提供了一種高效的方式來(lái)集成通信模塊、處理器和其他傳感器。汽車電子：隨著汽車逐漸變得“更智能”，SiP技術(shù)在汽車電子中的應(yīng)用也在增加，用于控制系統(tǒng)、導(dǎo)航和安全特性等。盡管SiP技術(shù)有許多優(yōu)勢(shì)，但也面臨一些挑戰(zhàn)：熱管理：多個(gè)功率密集型組件集成在一起可能導(dǎo)致熱量積聚。設(shè)計(jì)復(fù)雜性：設(shè)計(jì)一個(gè)SiP需要多學(xué)科的知識(shí)，包括電子、機(jī)械和熱學(xué)。測(cè)試和驗(yàn)證：集成的系統(tǒng)可能需要更復(fù)雜的測(cè)試策略來(lái)確保所有組件的功能。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。

構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。后者包括傳統(tǒng)封裝工藝(Wirebond和FlipChip)JI和SMT設(shè)備。無(wú)源器件是SiP的一個(gè)重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數(shù)值高的電感、電容等)通過(guò)SMT組裝在載體上。SiP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術(shù)狀況看，SiP本身沒(méi)有特殊的工藝或材料。這并不是說(shuō)具備傳統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)就掌握了SiP技術(shù)。由于SiP的產(chǎn)業(yè)模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設(shè)計(jì)是另外的重要因素。SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件。甘肅SIP封裝價(jià)格

隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。遼寧模組封裝測(cè)試

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來(lái)自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：遼寧模組封裝測(cè)試