SiP以后會是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)與外部沒有任何連接的單獨(dú)組件。它是一個(gè)定制組件，非常適合它想要做的工作，同時(shí)不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無線通信。此外，它應(yīng)該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運(yùn)行，并在發(fā)生故障時(shí)廉價(jià)更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因?yàn)橄到y(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來越接近較終目標(biāo)：較終SiP。SIP是從封裝的立場出發(fā)，對不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。湖南系統(tǒng)級封裝流程

元件密集化，Chip元件密集化，隨著SIP元件的推廣，SIP封裝所需元件數(shù)量和種類越來越多，在尺寸受限或不變的前提下，要求單位面積內(nèi)元件密集程度必須增加。貼片精度高精化，SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿足其貼片要求，因此需要精度更高的貼片設(shè)備，才能滿足其工藝要求。工藝要求越來越趨于極限化，SIP工藝板身就是系統(tǒng)集成化的結(jié)晶，但是隨著元件小型化和布局的密集化程度越來越高，勢必度傳統(tǒng)工藝提出挑戰(zhàn)，印刷，貼片，回流面臨前所未有的工藝挑戰(zhàn)，因此需要工藝管控界限向著6 Sigma靠近，以提高良率。系統(tǒng)級封裝流程SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。

汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場景。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。以發(fā)動機(jī)控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動等大規(guī)模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車防抱死系統(tǒng)（ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報(bào)警系統(tǒng)等各個(gè)單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過將多個(gè)芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強(qiáng)，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開發(fā)簡單，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。此外，通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個(gè)芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。SiP封裝為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時(shí)提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。貴州模組封裝廠家

SiP封裝是將多個(gè)半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個(gè)相對單獨(dú)的產(chǎn)品。湖南系統(tǒng)級封裝流程

對于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個(gè)或更多芯片堆疊并粘合在一個(gè)封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個(gè)內(nèi)存芯片放在一個(gè)封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無論第二個(gè)芯片是在頭一個(gè)芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個(gè)芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來解決復(fù)雜的測試、良率和運(yùn)輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。湖南系統(tǒng)級封裝流程