SiP 封裝種類，SiP涉及許多類型的封裝技術(shù)，如超精密表面貼裝技術(shù)（SMT）、封裝堆疊技術(shù)，封裝嵌入式技術(shù)、超薄晶圓鍵合技術(shù)、硅通孔（TSV）技術(shù)以及芯片倒裝（Flip Chip）技術(shù)等。 封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜形式多樣。SiP幾種分類形式，從上面也可以看到SiP是先進(jìn)的封裝技術(shù)和表面組裝技術(shù)的融合。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復(fù)雜性，必須充分利用垂直方向來進(jìn)一步擴(kuò)展系統(tǒng)集成度，故3D成為實(shí)現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術(shù)。一個(gè)SiP可以選擇性地包含無源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封裝和設(shè)備。安徽COB封裝技術(shù)

PoP封裝技術(shù)有以下幾個(gè)有點(diǎn)：1）存儲(chǔ)器件和邏輯器件可以單獨(dú)地進(jìn)行測(cè)試或替換，保障了良品率；2）雙層POP封裝節(jié)省了基板面積, 更大的縱向空間允許更多層的封裝；3）可以沿PCB的縱向?qū)ram,DdramSram,Flash,和 微處理器進(jìn)行混合裝聯(lián)；4）對(duì)于不同廠家的芯片, 提供了設(shè)計(jì)靈活性,可以簡單地混合裝聯(lián)在一起以滿足客戶的需求，降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本；5）目前該技術(shù)可以取得在垂直方向進(jìn)行層芯片外部疊加裝聯(lián)；6）頂?shù)讓悠骷B層組裝的電器連接，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以應(yīng)對(duì)邏輯器件和存儲(chǔ)器件之間的高速互聯(lián)。山東陶瓷封裝型式隨著SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、3D封裝等先進(jìn)封裝的普及，對(duì)固晶機(jī)設(shè)備在性能方面提出了更高的需求。

包裝，主要目的是保證運(yùn)輸過程中的產(chǎn)品安全，及長期存放時(shí)的產(chǎn)品可靠性。對(duì)包裝材料的強(qiáng)度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤，抗靜電袋，干燥劑、濕度卡，紙箱等。包裝完畢后，直接入庫或按照要求裝箱后直接發(fā)貨給客戶。倒裝焊封裝工藝工序介紹，焊盤再分布，為了增加引線間距并滿足倒裝焊工藝的要求，需要對(duì)芯片的引線進(jìn)行再分布。制作凸點(diǎn)，焊盤再分布完成之后，需要在芯片上的焊盤添加凸點(diǎn)，焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍，其次是焊膏印刷法。

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝需求主要包括以下幾個(gè)方面：1、穩(wěn)定的力控制：在固晶過程中，需要對(duì)芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而，過大的壓力可能導(dǎo)致芯片損壞，而過小的壓力則可能導(dǎo)致連接不良。因此，固晶設(shè)備需要具備穩(wěn)定的力控制能力，以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場(chǎng)及變形的控制：在固晶過程中，溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質(zhì)量。因此，固晶設(shè)備需要具備對(duì)溫度場(chǎng)和基板變形的控制能力，以確保在整個(gè)固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。先進(jìn)封裝的制造過程中，任何一個(gè)環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個(gè)封裝的失敗。

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達(dá)到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機(jī)設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。Sip系統(tǒng)級(jí)封裝通過將多個(gè)裸片（Die）和無源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。廣西系統(tǒng)級(jí)封裝工藝

SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢(shì)。安徽COB封裝技術(shù)

與MCM相比，SiP一個(gè)側(cè)重點(diǎn)在系統(tǒng)，能夠完成單獨(dú)的系統(tǒng)功能。除此之外，SiP是一種集成概念，而非固定的封裝結(jié)構(gòu)，它可以是2D封裝結(jié)構(gòu)、2.5D封裝結(jié)構(gòu)及3D封裝結(jié)構(gòu)。可以根據(jù)需要采用不同的芯片排列方式和不同的內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)搭配，從而實(shí)現(xiàn)不同的系統(tǒng)功能。一個(gè)典型的SiP封裝芯片如圖所示。采用SiP封裝的芯片結(jié)構(gòu)圖SiP封裝可以有效解決芯片工藝不同和材料不同帶來的集成問題，使設(shè)計(jì)和工藝制程具有較好的靈活性。與此同時(shí)，采用SiP封裝的芯片集成度高，能減少芯片的重復(fù)封裝，降低布局與排線的難度，縮短研發(fā)周期。安徽COB封裝技術(shù)