PiP封裝的優(yōu)點(diǎn)：1）外形高度較低；2）可以采用標(biāo)準(zhǔn)的SMT電路板裝配工藝；3）單個(gè)器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性：（1）由于在封裝之前單個(gè)芯片不可以單獨(dú)測(cè)試，所以總成本會(huì)高（封裝良率問題）；（2）事先需要確定存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，器件只能有設(shè)計(jì)服務(wù)公司決定，沒有終端使用者選擇的自由。TSV，W2W的堆疊是將完成擴(kuò)散的晶圓研磨成薄片，逐層堆疊而成。層與層之間通過直徑在10μm以下的細(xì)微通孔而實(shí)現(xiàn)連接。此種技術(shù)稱為TSV（Through silicon via）。與常見IC封裝的引線鍵合或凸點(diǎn)鍵合技術(shù)不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小，并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗，成為3D芯片新的發(fā)展方向。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。河北芯片封裝供應(yīng)

除了 2D 與 3D 的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入 SiP 的涵蓋范圍。此技術(shù)主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，亦可視為是 SiP 的概念，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可依照客戶或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。SiP 的應(yīng)用場(chǎng)景SiP 技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP 技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)和發(fā)展前景。河北芯片封裝供應(yīng)SiP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)由微型化和集成化驅(qū)動(dòng)的變革。系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，簡(jiǎn)稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個(gè)功能組件集成到一個(gè)封裝中，不只節(jié)省了空間，還提高了性能，這對(duì)于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。Sip技術(shù)是什么？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，SiP技術(shù)允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種SiP封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng)，同時(shí)保持小尺寸和高性能。

幾種類型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級(jí)封裝，并且利用晶圓級(jí)技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢(shì)推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺(tái)積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機(jī)領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機(jī)和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：從某種程度上說：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。江西芯片封裝流程

隨著SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、3D封裝等先進(jìn)封裝的普及，對(duì)固晶機(jī)設(shè)備在性能方面提出了更高的需求。河北芯片封裝供應(yīng)

SiP 封裝種類，SiP涉及許多類型的封裝技術(shù)，如超精密表面貼裝技術(shù)（SMT）、封裝堆疊技術(shù)，封裝嵌入式技術(shù)、超薄晶圓鍵合技術(shù)、硅通孔（TSV）技術(shù)以及芯片倒裝（Flip Chip）技術(shù)等。 封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜形式多樣。SiP幾種分類形式，從上面也可以看到SiP是先進(jìn)的封裝技術(shù)和表面組裝技術(shù)的融合。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復(fù)雜性，必須充分利用垂直方向來進(jìn)一步擴(kuò)展系統(tǒng)集成度，故3D成為實(shí)現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術(shù)。河北芯片封裝供應(yīng)