SIP工藝解析,引線鍵合封裝工藝工序介紹:圓片減薄,為保持一定的可操持性,F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄,才適用于切割、組裝,一般需要研磨到200um左右,一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割,圓片減薄后,可以進(jìn)行劃片,劃片前需要將晶元粘貼在藍(lán)膜上,通過sawwing工序,將wafer切成一個(gè) 一個(gè) 單獨(dú)的Dice。目前主要有兩種方式:刀片切割和激光切割。芯片粘結(jié),貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金,尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結(jié)劑粘貼到金屬框架上。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)。天津BGA封裝價(jià)位
SiP還具有以下更多優(yōu)勢:降低成本 – 通常伴隨著小型化,降低成本是一個(gè)受歡迎的副作用,盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時(shí),成本節(jié)約開始顯現(xiàn),但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計(jì)成本和離散 BOM(物料清單)開銷,這些因素都會(huì)受到很大影響,具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個(gè)不斷發(fā)展的概念,如果有效地利用SiP專業(yè)知識,從模塑料選擇,基板選擇和熱機(jī)械建模,可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。天津MEMS封裝價(jià)格SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件。
異形元件處理,Socket / 層疊型等異形元件,因便攜式產(chǎn)品的不斷發(fā)展,功能集成越來越多,勢必要求在原SIP工藝基礎(chǔ)上,增加更多功能模塊,傳統(tǒng)的電容電阻已無法滿足多功能集成化要求,因此需要引入異形元件進(jìn)行擴(kuò)展,因此如何在精密化的集成基板上,進(jìn)行異形元件的貼裝,給工藝帶來不小挑戰(zhàn),這就要求設(shè)備精度高,穩(wěn)定性好,處理更智能化方可滿足。成本,前期投入大,回報(bào)周期長,工藝復(fù)雜,人工成本高,產(chǎn)品良率低,耗損大。需要大型,穩(wěn)定,利潤率較大的項(xiàng)目方能支撐SIP技術(shù)的持續(xù)運(yùn)行。
模擬模塊無法從較低的工藝集成中受益。正因?yàn)槿绱?,并且由于試圖將模擬模塊保留在sperate工藝技術(shù)(BCD,BiCMOS,SiGe)上的復(fù)雜性增加,這使得SiP成為縮小系統(tǒng)尺寸的更具吸引力的選擇。天線、MEMS 傳感器、無源元件(例如:大電感器)等外部器件無法裝入 SoC。因此,工程師需要使用SiP技術(shù)為客戶提供完整的解決方案。交付模塊而不是芯片是一種趨勢,由于無線應(yīng)用(如藍(lán)牙模塊)而開始,以幫助客戶快速進(jìn)入市場,而無需從頭開始設(shè)計(jì)。相反,他們使用由整個(gè)系統(tǒng)組成的SiP模塊。SIP模組尺寸小,在相同功能上,可將多種芯片集成在一起,相對單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。
SiP 與先進(jìn)封裝也有區(qū)別:SiP 的關(guān)注點(diǎn)在于系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn),所以系統(tǒng)是其重點(diǎn)關(guān)注的對象,和 SiP 系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝;先進(jìn)封裝的關(guān)注點(diǎn)在于:封裝技術(shù)和工藝的先進(jìn)性,所以先進(jìn)性的是其重點(diǎn)關(guān)注的對象,和先進(jìn)封裝對應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝。SiP 封裝并無一定形態(tài),就芯片的排列方式而言,SiP 可為多芯片模塊(Multi-chipModule;MCM)的平面式 2D 封裝,也可再利用 3D 封裝的結(jié)構(gòu),以有效縮減封裝面積;而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純地打線接合(WireBonding),亦可使用覆晶接合(FlipChip),但也可二者混用。由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展,傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)。廣東IPM封裝行價(jià)
SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。天津BGA封裝價(jià)位
SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個(gè)方面:1、穩(wěn)定的力控制:在固晶過程中,需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而,過大的壓力可能導(dǎo)致芯片損壞,而過小的壓力則可能導(dǎo)致連接不良。因此,固晶設(shè)備需要具備穩(wěn)定的力控制能力,以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場及變形的控制:在固晶過程中,溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質(zhì)量。因此,固晶設(shè)備需要具備對溫度場和基板變形的控制能力,以確保在整個(gè)固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。天津BGA封裝價(jià)位