PiP (Package In Package)， 一般稱堆疊封裝又稱封裝內(nèi)的封裝，還稱器件內(nèi)置器件，是在同一個封裝腔體內(nèi)堆疊多個芯片形成3D 封裝的一種技術(shù)方案。封裝內(nèi)芯片通過金線鍵合堆疊到基板上，同樣的堆疊，通過金線再將兩個堆疊之間的基板鍵合，然后整個封裝成一個元件便是PiP（器件內(nèi)置器件）。PiP封裝技術(shù)較初是由KINGMAX公司研發(fā)的一種電子產(chǎn)品封裝技術(shù)，該技術(shù)整合了PCB基板組裝及半導(dǎo)體封裝制作流程，可以將小型存儲卡所需 要的零部件（控制器、閃存集成電路、基礎(chǔ)材質(zhì)、無源計算組件）直接封裝，制成功能完整的Flash存儲卡產(chǎn) 品。PiP一體化封裝技術(shù)具有下列技術(shù)優(yōu)勢：超大容量、高讀寫速度、堅固耐用、強防水、防靜電、耐高溫等， 因此常運用于SD卡、XD卡、MM卡等系列數(shù)碼存儲卡上。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關(guān)鍵載體。山東WLCSP封裝方式

構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。后者包括傳統(tǒng)封裝工藝(Wirebond和FlipChip)JI和SMT設(shè)備。無源器件是SiP的一個重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數(shù)值高的電感、電容等)通過SMT組裝在載體上。SiP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術(shù)狀況看，SiP本身沒有特殊的工藝或材料。這并不是說具備傳統(tǒng)先進封裝技術(shù)就掌握了SiP技術(shù)。由于SiP的產(chǎn)業(yè)模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設(shè)計是另外的重要因素。重慶MEMS封裝先進封裝對于精度的要求非常高，因為封裝中的芯片和其他器件的尺寸越來越小，而封裝密度卻越來越大。

面對客戶在系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品的設(shè)計需求，云茂電子具備完整的數(shù)據(jù)庫，可在整體微小化的基礎(chǔ)上，提供料件及設(shè)計的較佳解，接著開始進行電路布局(Layout) 與構(gòu)裝(Structure)設(shè)計。經(jīng)過封裝技術(shù)，將整體電路及子系統(tǒng)塑封在一個光「芯片」大小的模塊。 高密度與高整合的模塊化設(shè)計前期的模擬與驗證特別至關(guān)重要，云茂電子提供包含載板設(shè)計和翹曲仿真、電源/訊號完整性分析(PI/SI)、熱流模擬分析(Thermal)等服務(wù)確保模塊設(shè)計質(zhì)量。實驗室內(nèi)同時也已經(jīng)為系統(tǒng)整合驗證建置完整設(shè)備，協(xié)助客戶進行模塊打件至主板后的射頻校準測試與通訊協(xié)議驗證，并提供系統(tǒng)級功能性與可靠度驗證。

應(yīng)用領(lǐng)域，SiP技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，包括但不限于：智能手機和平板電腦：SiP技術(shù)使得這些設(shè)備能夠在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，如高性能處理器、內(nèi)存和傳感器。可穿戴設(shè)備：支持可穿戴設(shè)備的小型化設(shè)計，同時集成必要的傳感器和處理能力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備：為IoT設(shè)備提供了一種高效的方式來集成通信模塊、處理器和其他傳感器。汽車電子：隨著汽車逐漸變得“更智能”，SiP技術(shù)在汽車電子中的應(yīng)用也在增加，用于控制系統(tǒng)、導(dǎo)航和安全特性等。盡管SiP技術(shù)有許多優(yōu)勢，但也面臨一些挑戰(zhàn)：熱管理：多個功率密集型組件集成在一起可能導(dǎo)致熱量積聚。設(shè)計復(fù)雜性：設(shè)計一個SiP需要多學(xué)科的知識，包括電子、機械和熱學(xué)。測試和驗證：集成的系統(tǒng)可能需要更復(fù)雜的測試策略來確保所有組件的功能。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過先進封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過先進的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說是封裝中的單元，先進封裝是由 Chiplet /Chip 組成的，3D 是先進封裝的工藝手段，SiP 則指代的是完成的封裝整體。通過 3D 技術(shù)，SiP 可以實現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，在更小的面積內(nèi)封裝更多的芯片。不過，是否采用了先進封裝工藝，并不是 SiP 的關(guān)注重點，SiP 關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn)。隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上。廣西陶瓷封裝參考價

隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。山東WLCSP封裝方式

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV，只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。山東WLCSP封裝方式