幾種類型的先進封裝技術：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術的應用范圍將越來越普遍。其次是應用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術在射頻特性上的優(yōu)勢推進扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導體廠商都有自己的 SiP 技術，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術，差別就在于制程工藝。在智能手機領域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術的采用率；可穿戴領域，已經有在耳機和智能手表上應用 SiP 技術。封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。浙江半導體芯片封裝市價

SiP系統(tǒng)級封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術。SiP封裝( System In a Package)是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件。合封芯片技術就是包含SiP封裝技術，所以合封技術范圍更廣，技術更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機設置及合適的鋼網技術以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關鍵。吉林半導體芯片封裝供應SiP是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導體生產工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間。

3D封裝結構的主要優(yōu)點是使數據傳輸率更高。對于具有 GHz 級信號傳輸的高性能應用，導體損耗和介電損耗會引起信號衰減，并導致低壓差分信號中的眼圖不清晰。信號走線設計的足夠寬以抵消GHz傳輸的集膚效應，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進步伴隨著主要電壓較低的器件，這導致噪聲容限更小，較終導致對噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。

SiP主流的封裝結構形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結構是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術進行互連。在電源、車載通訊方面也開始進行了 SiP 探索和開發(fā)實踐。

基板的分類：封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結構兩方面進行分類。結構分類：剛性基板材料和柔性基板材料。增強材料分類：有有機系（樹脂系）、無機系（陶瓷系、金屬系）和復合系；基板的處理，基板表面處理方式主要有：熱風整平、有機可焊性保護涂層、化學鎳金、電鍍金。化學鎳金：化學鎳金是采用金鹽及催化劑在80~100℃的溫度下通過化學反應析出金層的方法進行涂覆的，成本比電鍍低，但是難以控制沉淀的金屬厚度，表面硬并且平整度差，不適合作為采用引線鍵合工藝封裝基板的表面處理方式。在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。吉林半導體芯片封裝供應

SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。浙江半導體芯片封裝市價

隨著物聯(lián)網時代越來越深入人心，不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡化方面呈現(xiàn)積極趨勢。此外，制造越來越大的單片SoC的推動力開始在設計驗證和可制造性方面遇到障礙，因為擁有更大的芯片會導致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來看，SiP是SoC的未來替代品，因為它們可以集成較新的標準和協(xié)議，而無需重新設計。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應用的長期前景時另一個令人鼓舞的因素。浙江半導體芯片封裝市價