在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角，通過將多個(gè)裸片（Die）和無源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。這項(xiàng)技術(shù)為芯片成品增加了明顯的集成度，有效減小產(chǎn)品體積，并在降低功耗方面取得了一定的成果。具體而言，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上，通過精密的鍵合和封裝過程，創(chuàng)造了一個(gè)外觀類似單一芯片的模塊。盡管仍呈現(xiàn)芯片狀，但這一模塊實(shí)現(xiàn)了多顆芯片協(xié)同工作的強(qiáng)大功能。由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)。山東系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)商

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時(shí)較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過先進(jìn)的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實(shí)現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說是封裝中的單元，先進(jìn)封裝是由 Chiplet /Chip 組成的，3D 是先進(jìn)封裝的工藝手段，SiP 則指代的是完成的封裝整體。通過 3D 技術(shù)，SiP 可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，在更小的面積內(nèi)封裝更多的芯片。不過，是否采用了先進(jìn)封裝工藝，并不是 SiP 的關(guān)注重點(diǎn)，SiP 關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)。山東系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)商SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。

隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，全球終端電子產(chǎn)品漸漸走向多功能整合及低功耗設(shè)計(jì)，因而使得可將多顆裸晶整合在單一封裝中的SIP技術(shù)日益受到關(guān)注。除了既有的封測(cè)大廠積極擴(kuò)大SIP制造產(chǎn)能外，晶圓代工業(yè)者與IC基板廠也競(jìng)相投入此一技術(shù)，以滿足市場(chǎng)需求。早前，蘋果發(fā)布了較新的apple watch手表，里面用到SIP封裝芯片，從尺寸和性能上為新手表增色不少。而芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能提升，轉(zhuǎn)向更加務(wù)實(shí)的滿足市場(chǎng)的需求。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體路線組織（ITRS）的定義： SiP技術(shù)為將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。SiP技術(shù)特點(diǎn)：1、組件集成，SiP可以包含各種類型的組件，如：數(shù)字和模擬集成電路、無源元件（電阻、電容、電感）、射頻（RF）組件、功率管理模塊、內(nèi)存芯片（如DRAM、Flash）、傳感器和微電機(jī)系統(tǒng)（MEMS）。

PiP封裝的優(yōu)點(diǎn)：1）外形高度較低；2）可以采用標(biāo)準(zhǔn)的SMT電路板裝配工藝；3）單個(gè)器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性：（1）由于在封裝之前單個(gè)芯片不可以單獨(dú)測(cè)試，所以總成本會(huì)高（封裝良率問題）；（2）事先需要確定存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，器件只能有設(shè)計(jì)服務(wù)公司決定，沒有終端使用者選擇的自由。TSV，W2W的堆疊是將完成擴(kuò)散的晶圓研磨成薄片，逐層堆疊而成。層與層之間通過直徑在10μm以下的細(xì)微通孔而實(shí)現(xiàn)連接。此種技術(shù)稱為TSV（Through silicon via）。與常見IC封裝的引線鍵合或凸點(diǎn)鍵合技術(shù)不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小，并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗，成為3D芯片新的發(fā)展方向。SiP (System in Package, 系統(tǒng)級(jí)封裝）主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域。

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SIP是從封裝的立場(chǎng)出發(fā)，對(duì)不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。江西MEMS封裝測(cè)試

預(yù)計(jì)到2028年，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入將達(dá)到338億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.1%。山東系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)商

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)由微型化和集成化驅(qū)動(dòng)的變革。系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，簡(jiǎn)稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個(gè)功能組件集成到一個(gè)封裝中，不只節(jié)省了空間，還提高了性能，這對(duì)于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。Sip技術(shù)是什么？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，SiP技術(shù)允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種SiP封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng)，同時(shí)保持小尺寸和高性能。山東系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)商