隨著科技的不斷進步,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝(System in Package,簡稱SiP)技術(shù),作為這一變革的主要,正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中,不只有效節(jié)省空間,實現(xiàn)更高的集成度,還提高了性能,這對于追求高性能和緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)?SiP(System in Package)技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù),它允許將多個集成電路(IC)或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種技術(shù)可以實現(xiàn)不同功能組件的物理集成,而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng),同時保持小尺寸和高性能。先進封裝的制造過程中,任何一個環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個封裝的失敗。遼寧SIP封裝技術(shù)
系統(tǒng)集成封裝(System in Package)可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中,以實現(xiàn)更高的性能,功能和處理速度,同時大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義,SiP封裝(System In Package系統(tǒng)級封裝)是將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi),從而實現(xiàn)一個基本完整的功能,與SOC(System On Chip系統(tǒng)級芯片)相對應(yīng)。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進行封裝。遼寧SIP封裝技術(shù)SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關(guān)鍵載體。
SiP系統(tǒng)級封裝,SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起,實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù),所以合封技術(shù)范圍更廣,技術(shù)更全,功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn),除了良好的印刷機設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外,為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。
元件密集化,Chip元件密集化,隨著SIP元件的推廣,SIP封裝所需元件數(shù)量和種類越來越多,在尺寸受限或不變的前提下,要求單位面積內(nèi)元件密集程度必須增加。貼片精度高精化,SIP板身元件尺寸小,密度高,數(shù)量多,傳統(tǒng)貼片機配置難以滿足其貼片要求,因此需要精度更高的貼片設(shè)備,才能滿足其工藝要求。工藝要求越來越趨于極限化,SIP工藝板身就是系統(tǒng)集成化的結(jié)晶,但是隨著元件小型化和布局的密集化程度越來越高,勢必度傳統(tǒng)工藝提出挑戰(zhàn),印刷,貼片,回流面臨前所未有的工藝挑戰(zhàn),因此需要工藝管控界限向著6 Sigma靠近,以提高良率。SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。
SiP的未來趨勢和事例。人們可以將SiP總結(jié)為由一個襯底組成,在該襯底上將多個芯片與無源元件組合以創(chuàng)建一個完整的功能單獨封裝,只需從外部連接到該封裝即可創(chuàng)建所需的產(chǎn)品。由于由此產(chǎn)生的尺寸減小和緊密集成,SiP在MP3播放器和智能手機等空間受限的設(shè)備中非常受歡迎。另一方面,如果只要有一個組件有缺陷,整個系統(tǒng)就會變得無法正常工作,從而導(dǎo)致制造良率下降。盡管如此,推動SiP更多開發(fā)和生產(chǎn)的主要驅(qū)動力是早期的可穿戴設(shè)備,移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場。在當前的SiP限制下,需求仍然是可控的,其數(shù)量低于成熟的企業(yè)和消費類SoC市場。隨著SiP模塊成本的降低,且制造工藝效率和成熟度的提高。重慶SIP封裝精選廠家
SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢。遼寧SIP封裝技術(shù)
3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于:2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔,而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線,電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu):所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合,XY平面之上設(shè)有貫穿芯片的TSV,XY平面之下設(shè)有基板布線及過孔。電氣連接:芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊,將若干同類型芯片豎直疊放,并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成,見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成,如DRAM Stack和FLASH Stack。遼寧SIP封裝技術(shù)