光電器件、MEMS 等特殊工藝器件的微小化也將大量應(yīng)用 SiP 工藝。SiP 發(fā)展的難點(diǎn)隨著 SiP 市場(chǎng)需求的增加，SiP 封裝行業(yè)的痛點(diǎn)也開始凸顯，例如無 SiP 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，缺少內(nèi)部裸片資源，SiP 研發(fā)和量產(chǎn)困難，SiP 模塊和封裝設(shè)計(jì)有難度。由于 SiP 模組中集成了眾多器件，假設(shè)每道工序良率有一點(diǎn)損失，疊乘后，整個(gè)模組的良率損失則會(huì)變得巨大，這對(duì)封裝工藝提出了非常高的要求。并且 SiP 技術(shù)尚屬初級(jí)階段，雖有大量產(chǎn)品采用了 SiP 技術(shù)，不過其封裝的技術(shù)含量不高，系統(tǒng)的構(gòu)成與在 PCB 上的系統(tǒng)集成相似，無非是采用了未經(jīng)封裝的芯片通過 COB 技術(shù)與無源器件組合在一起，系統(tǒng)內(nèi)的多數(shù)無源器件并沒有集成到載體內(nèi)，而是采用 SMT 分立器件。從某種程度上說：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。貴州半導(dǎo)體芯片封裝價(jià)位

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺(tái)積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒有TSV，但在進(jìn)行高密度互連時(shí)，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。安徽模組封裝供應(yīng)SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。

合封芯片、芯片合封和SiP系統(tǒng)級(jí)封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封芯片與SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的定義，首先合封芯片和芯片合封都是一個(gè)意思，合封芯片是一種將多個(gè)芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。合封芯片可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。

SiP還具有以下更多優(yōu)勢(shì)：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個(gè)受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對(duì)大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時(shí)，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計(jì)成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會(huì)受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個(gè)不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識(shí)，從模塑料選擇，基板選擇和熱機(jī)械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件。

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達(dá)到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機(jī)設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。廣西系統(tǒng)級(jí)封裝廠家

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時(shí)減少了對(duì)外圍器件的依賴。貴州半導(dǎo)體芯片封裝價(jià)位

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進(jìn)行互連。貴州半導(dǎo)體芯片封裝價(jià)位