系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級芯片）相對應。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進行并排或疊構后組成功能系統(tǒng)后進行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進行封裝。構成SiP技術的要素是封裝載體與組裝工藝。山東SIP封裝技術

SiP模塊可靠度及失效分析，由于內(nèi)部線路和基板之間的復雜鏈接，當模塊出現(xiàn)問題時，分析微米級組件的異常變得特別具有挑戰(zhàn)性，尤其是在電性測試期間，其他部件的導電性會影響測定結果。而且某些異常污染可能光只有幾奈米的厚度，如：氧化或微侵蝕，使用一般的光學或電子顯微鏡根本無法發(fā)現(xiàn)。為了將制程問題降至較低，云茂電子在SiP模塊失效分析領域持續(xù)強化分析能力，以X射線檢測(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立葉紅外線光譜儀（FTIR）等三大品管儀器找出解決之道。 山東SIP封裝技術SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。

淺談系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢及失效分析，半導體組件隨著各種消費性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應半導體制程技術發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開發(fā)效益開始降低，異質整合困難度也提高，成本和所需時間居高不下。此時，系統(tǒng)級封裝（SiP）的市場機會開始隨之而生。 采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的較大優(yōu)勢來自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設計。以較常見的智能型手機為例，常見的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。而系統(tǒng)級封裝即是將這些單獨制造的芯片和組件共同整合成模塊，再從單一功能模塊整合成子系統(tǒng)，再將該系統(tǒng)安裝到手機系統(tǒng)PCB上。

sip封裝的優(yōu)缺點，SIP封裝的優(yōu)缺點如下：優(yōu)點：結構簡單：SIP封裝的結構相對簡單，制造和組裝過程相對容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)?？煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能，可以免受環(huán)境影響，提高產(chǎn)品的可靠性。適應性強：SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產(chǎn)的低成本電子產(chǎn)品。缺點：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使電子產(chǎn)品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能。

SiP系統(tǒng)級封裝作為一種集成封裝技術，在滿足多種先進應用需求方面發(fā)揮著關鍵作用。以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性，目前其主要應用領域為射頻／無線應用、移動通信、網(wǎng)絡設備、計算機和外設、數(shù)碼產(chǎn)品、圖像、生物和MEMS傳感器等。固晶貼片機（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設備。隨著SiP系統(tǒng)級封裝、3D封裝等先進封裝的普及，對固晶機設備在性能方面提出了更高的需求。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。陜西MEMS封裝廠商

SOC與SIP都是將一個包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無源組件的系統(tǒng)，整合在一個單位中。山東SIP封裝技術

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結構：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。山東SIP封裝技術