由于物聯(lián)網(wǎng)“智慧”設備的快速發(fā)展，業(yè)界對能夠在更小的封裝內(nèi)實現(xiàn)更多功能的系統(tǒng)級封裝 (SiP) 器件的需求高漲，這種需求將微型化趨勢推向了更高的層次：使用更小的元件和更高的密度來進行組裝。 無源元件尺寸已從 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 縮小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，細間距錫膏印刷對 SiP 的組裝來說變得越來越有挑戰(zhàn)性。 對使用不同助焊劑和不同顆粒尺寸錫粉的 3 種錫膏樣本進行了研究； 同時通過比較使用平臺和真空的板支撐系統(tǒng)，試驗了是否可以單獨使用平臺支撐來獲得一致性較好的印刷工藝；并比較了激光切割和電鑄鋼網(wǎng)在不同開孔尺寸下的印刷結(jié)果。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。上海COB封裝廠商

SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術，封裝成型可依據(jù)客戶設計制作不同形狀模塊，甚至是3D立體結(jié)構(gòu)，藉此可將整體尺寸縮小，預留更大空間放置電池，提供更大電力儲存，延長產(chǎn)品使用時間，但功能更多、速度更快，因此特別適用于射頻相關應用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領域。微小化制程三大關鍵技術，在設計中元器件的數(shù)量多寡及排布間距，即是影響模塊尺寸的較主要關鍵。要能夠?qū)崿F(xiàn)微小化，較重要的莫過于三項制程技術：塑封、屏蔽及高密度打件技術。模組封裝除了2D與3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的涵蓋范圍。

SiP 封裝優(yōu)勢：1）短產(chǎn)品研制和投放市場的周期，SiP在對系統(tǒng)進行功能分析和劃分后，可充分利用商品化生產(chǎn)的芯片資源，經(jīng)過合理的電路互連結(jié)構(gòu)及封裝設計，易于修改、生產(chǎn)，力求以較佳方式和較低成本達到系統(tǒng)的設計性能，無需像SoC那樣進行版圖級布局布線，從而減少了設計、驗證、調(diào)試的復雜性與系統(tǒng)實現(xiàn)量產(chǎn)的時間，可比SoC節(jié)省更多的系統(tǒng)設計和生產(chǎn)費用，投放市場的時間至少可減少1/4。2）所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV，只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。構(gòu)成SiP技術的要素是封裝載體與組裝工藝。

幾種類型的先進封裝技術：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術的應用范圍將越來越普遍。其次是應用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術在射頻特性上的優(yōu)勢推進扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導體廠商都有自己的 SiP 技術，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術，差別就在于制程工藝。在智能手機領域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術的采用率；可穿戴領域，已經(jīng)有在耳機和智能手表上應用 SiP 技術。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢。上海COB封裝廠商

固晶貼片機（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設備。上海COB封裝廠商

SiP 技術在快速增長的車載辦公系統(tǒng)和娛樂系統(tǒng)中也獲得了成功的應用。消費電子目前 SiP 在電子產(chǎn)品里應用越來越多，尤其是 TWS 耳機、智能手表、UWB 等對小型化要求高的消費電子領域，不過占有比例較大的還是智能手機，占到了 70%。因為手機射頻系統(tǒng)的不同零部件往往采用不同材料和工藝，包括硅，硅鍺和砷化鎵以及其他無源元件。目前的技術還不能將這些不同工藝技術制造的零部件集成在一塊硅芯片上。但是 SiP 工藝卻可以應用表面貼裝技術 SMT 集成硅和砷化鎵芯片，還可以采用嵌入式無源元件，非常經(jīng)濟有效地制成高性能 RF 系統(tǒng)。上海COB封裝廠商