陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發(fā)明了陶瓷介質電容器。20世紀30年代末，人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數(shù)加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質電容器。1940年左右，人們發(fā)現(xiàn)陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發(fā)。到1970年，隨著混合集成電路、計算機和便攜式電子設備的發(fā)展，它迅速發(fā)展起來，成為電子設備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質電容器的總數(shù)量約占電容器市場的70%。MLCC即多層陶瓷電容器，也可簡稱為片式電容器、積層電容、疊層電容等，屬于陶瓷電容器的一種。鹽城X5R電容廠家

不同電容容量，不同的結構原則上，不考慮前列放電，任何形狀的電容器都可以在環(huán)境中使用。常用的電解電容器(帶極性電容器)是圓形的，方形的很少用。非極性電容器的形狀多種多樣。如管式、異形矩形、片狀、方形、圓形、組合方形和圓形等。取決于它們的使用場合。當然還有隱形。這里的隱形指的是分布電容。在高頻和中頻設備中，分布電容是不可忽視的。使用環(huán)境和目的在家電維修中，以上都能遇到。要想通俗易懂，還得自己琢磨。這里只是參考，請指正。極性電容器(如鋁電解)由于其內部的材料和結構，可以大容量使用，但高頻特性不好，適用于電力濾波等場合，但有高頻特性好的極性電容器——鉭電解，價格相對較貴。江蘇高介電常數(shù)型電容規(guī)格電容做為電氣、電子元器件對于我們這些電工人來講是非常熟悉的。

為了滿足電子整機不斷向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向發(fā)展。MLCC也隨之迅速向前發(fā)展：種類不斷增加，體積不斷縮小，性能不斷提高，技術不斷進步，材料不斷更新，輕薄短小系列產(chǎn)品已趨向于標準化和通用化。其應用逐步由消費類設備向投資類設備滲透和發(fā)展。移動通信設備更是大量采用片式元件。隨著世界電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，MLCC的發(fā)展方向呈現(xiàn)多元化：1、為了適應便攜式通信工具的需求，片式多層電容器也正在向低壓大容量、超小超薄的方向發(fā)展。2、為了適應某些電子整機和電子設備向大功率高耐壓的方向發(fā)展（通信設備居多），高耐壓大電流、大功率、超高Q值低ESR型的中高壓片式電容器也是目前的一個重要的發(fā)展方向。3、為了適應線路高度集成化的要求，多功能復合片式電容器（LTCC）正成為技術研究熱點。

I類陶瓷電容器按照美國電工協(xié)會(EIA)的標準，是C0G(數(shù)字0，不是字母O，部分文件筆誤COG)或NP0(數(shù)字0，不是字母O，部分文件筆誤NPO)，以及中國標準CC系列等各類陶瓷介質(溫度系數(shù)為030ppm/)，極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象和損耗因子。這種介質非常適用于高頻(特別是用于工業(yè)高頻感應加熱、高頻無線傳輸?shù)葢玫母哳l電力電容器)、超高頻以及對電容和穩(wěn)定性有嚴格要求的定時和振蕩電路的工作環(huán)境。這種介質電容的缺點就是電容不能做得很大(因為介電系數(shù)比較小)。通常情況下，1206表貼C0G介質電容的電容范圍為0.5pf至0.01f。液態(tài)電解電容采用的介電材料為電解液，而固態(tài)電容采用的是導電性高分子。

內部電極通過逐層堆疊，增加電容兩極板的面積，從而增加電容容量。陶瓷介質是內部填充介質，不同介質制成的電容器具有不同的特性，如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等，這也是陶瓷電容器種類繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù)：電容的單位:電容的基本單位是F(法)，此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因為電容F的容量很大，所以我們通?？吹降氖荈、nF、pF的單位，而不是F。它們之間的具體轉換如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF片式鋁電解電容是沒有套管的，所以在鋁殼的底部印有容量、電壓、正負極等相關信息。廣東陶瓷薄膜電容廠家

常用陶瓷電容容量范圍：0.5pF~100uF。鹽城X5R電容廠家

微型電極結構方面，將電極做成立體三維結構可獲得更年夜的概況積，有利于負載更多的電極活性物質以及保證活性物質的充實操作，從而有利于改善電荷存儲機能。本所庖代的歷次版本發(fā)布情形為：——ｇｂ６跟著材料科學的發(fā)展，電容器逐漸向高儲能、小型化、輕質量、低成本、高靠得住性等標的目的成長，近年來，跟著情形呵護的呼聲越來越高，含鉛材料受到了極年夜的限制，傳統(tǒng)的pzt基壓電陶瓷由于含有年夜量的pb，其制造和使用已經(jīng)被限制，batio３基陶瓷材料再次成為研究的熱點。因為界面上存在位壘，兩層電荷不能越過鴻溝彼其中和，從而形成了雙電層電容[５]。１雙電層電容理論１８５３年德國物理學家helmhotz首先提出了雙電層電容這一概念[６]。用這種超級為一部iphone手機布滿電只只需要５秒鐘。但因為電介質耐壓低，存在漏電流，儲存能量和連結時刻受到限制。但這種電極材料的制備工藝繁復，耗時長，價錢昂貴，商品化還有必然距離。鹽城X5R電容廠家