【如何改善由于設(shè)計(jì)膜系導(dǎo)致的光譜特性不良】膜系設(shè)計(jì)時(shí)的膜厚、折射率允差太小，試制時(shí)的分光曲線在技術(shù)要求的邊緣，制造中稍有偏差就導(dǎo)致分光不良。膜系設(shè)計(jì)中選用膜料的折射率應(yīng)與使用膜料使用機(jī)臺(tái)吻合。膜系設(shè)計(jì)盡量考慮厚度與折射率允差(各層的厚度及折射率允許偏差1%-2%)，特別是敏感層，要有一定的允差(1%)?？刂坪穸扰c實(shí)際測(cè)試厚度的" tooling"值，要準(zhǔn)確,并經(jīng)常確認(rèn)調(diào)整。設(shè)計(jì)的技術(shù)要求必須高于圖紙?zhí)岢龅募夹g(shù)要求，設(shè)計(jì)時(shí)考慮基片變異層折射率變化帶來(lái)的影響，設(shè)計(jì)時(shí)考慮膜料的折射率変化及膜料之間、膜料與基片之間的匹配。國(guó)產(chǎn)光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商推薦。浙江光學(xué)鍍膜設(shè)備貴嗎

【光學(xué)鍍膜破邊、炸裂不良改善對(duì)策】一般的鍍膜會(huì)對(duì)基片加熱，由干基片是裝架在金屬(鋁、銅、不銹鋼)圈，碟內(nèi)，由干鏡圈或碟片與鏡片(基片)的熱膨脹系數(shù)不一致，冷卻過(guò)程中會(huì)造成鏡片的破邊或炸裂。有些大鏡片，由干出置時(shí)的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的執(zhí)應(yīng)力作用造成鏡片炸烈或破邊有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 如何改善對(duì)策: 1.夾具(鏡圈、碟片)的設(shè)計(jì)，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來(lái)的影響。 2.注意鏡圈、碟片的變形，已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3.選用合適的夾具材料(非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變形)，不銹鋼較為理想(熱變形系數(shù)小)，就是加工難度大，價(jià)格貴。 4.對(duì)于大鏡片應(yīng)降低出罩時(shí)的溫度，減少溫差，防止炸裂。 5.如果是鏡圈，可以考慮在鏡圈上開(kāi)槽，作為緩沖(鏡圈的使用壽命會(huì)減少很多) 上海光學(xué)鍍膜設(shè)備招聘光學(xué)鍍膜設(shè)備產(chǎn)業(yè)集群。

【鍍膜玻璃的主要產(chǎn)生法之真空磁控濺射法】磁控濺射法的生產(chǎn)方式包括間歇式和連續(xù)式生產(chǎn)法，其中連續(xù)式生產(chǎn)法又可分為水平和垂直連續(xù)式生產(chǎn)兩種。其中，水平連續(xù)式生產(chǎn)法是玻璃基片在水平輸送過(guò)程中完成全部加工工藝的生產(chǎn)方式，以具有3個(gè)濺射室的雙端機(jī)。 磁控濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)主要有：①對(duì)靶材的面積和形狀不作要求，且可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜，且膜層均勻性好、膜厚可控、濺射工藝重復(fù)性好；②可用的膜材廣fan，只要能做成靶材的任何材料都可實(shí)現(xiàn)濺射，因此可制備絕大多數(shù)材料的薄膜，包括合金和化合物等；③薄膜與基片的附著力強(qiáng)，膜層純度高、致密；④成膜速度快，生產(chǎn)效率高。

【光譜分光不良的具體情況】分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類(lèi)不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后方法正確,補(bǔ)救的成功率比較高中斷的原因形式不一： ①停電 ②機(jī)器故障 ③人為中斷(發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤、疑問(wèn)后中斷) 中斷后信息： （一）知道鍍到第幾層,已鍍各層的膜厚； （二）知道到第幾層,*后一層膜的膜厚不確定； （三）不知道鍍了多少。 光學(xué)鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。

【光譜分光不良的補(bǔ)救處理】1.對(duì)于第（yi）種情況，比較好處理，只要確認(rèn)前面鍍的沒(méi)錯(cuò)，程序沒(méi)有用錯(cuò)，就可以繼續(xù)原來(lái)的程序，要注意的是:如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時(shí)，交接處要減少一些膜厚(根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少，一般是0.2-1nm左右)，如果該層剩下的膜厚已不足15-20秒蒸鍍時(shí)，要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不鍍，通過(guò)后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。 2.對(duì)于第（二）（三）種情況的處理比較復(fù)雜一些 模擬:根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片(測(cè)試比較片)實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 測(cè)試比較片片是指隨鏡片-起鍍制(在傘片上、與鏡片同折射率)，用于測(cè)試鍍后分光曲線的平片。優(yōu)化:再鎖定通過(guò)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過(guò)后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的**方案。 試鍍:根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍?nèi)舾社R片(1-2片)或測(cè)試片，確認(rèn)補(bǔ)se膜系的可行性補(bǔ)se鍍:對(duì)試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)se鍍。補(bǔ)se鍍前，確認(rèn)基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其它不良。 磁控濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備是什么？河北光學(xué)鍍膜設(shè)備

光學(xué)鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。浙江光學(xué)鍍膜設(shè)備貴嗎

【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場(chǎng),而磁場(chǎng)是曲線型的,對(duì)數(shù)電場(chǎng)用于同軸圓柱形靶;均勻電場(chǎng)用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場(chǎng)影響而加速飛向基材,在此過(guò)程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時(shí)產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場(chǎng)影響會(huì)移動(dòng)到陰極(也就是濺射靶),同時(shí)用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會(huì)沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時(shí),在磁場(chǎng)的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運(yùn)動(dòng).該電子不但運(yùn)動(dòng)路徑長(zhǎng),還是被電磁場(chǎng)理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對(duì)靶材進(jìn)行轟擊,所以說(shuō)磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 浙江光學(xué)鍍膜設(shè)備貴嗎

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