【單層反射膜】線射入玻璃基板時，會產(chǎn)生4%左右的反射而造成透過率的損失。但是，通過在玻璃基板上蒸鍍比玻璃的折射率更低的電介質(zhì)膜，可以改變玻璃基板的反射率。 調(diào)節(jié)電介質(zhì)膜的厚度使其光程(折射率n×膜厚d)為λ/4時，可以相互抵消玻璃基板和電介質(zhì)膜，電介質(zhì)膜和空氣的分界面的反射，將反射率降到*低。 　　但是，由于折射率受到薄膜材料的限制，所以反射率不能完全為零。而且，由于受玻璃基板折射率的限制，所以并不是所有玻璃基板都能得到防反射效果。 光學(xué)鍍膜設(shè)備參數(shù)怎么調(diào)？上海光學(xué)鍍膜設(shè)備發(fā)展

【新型光學(xué)薄膜的典型應(yīng)用】現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)特別是激光技術(shù)和信息光學(xué)的發(fā)展，光學(xué)薄膜不僅用于純光學(xué)器件，在光電器件、光通信器件上也得到廣fan的應(yīng)用。近代信息光學(xué)、光電子技術(shù)及光子技術(shù)的發(fā)展，對光學(xué)薄膜產(chǎn)品的長壽命、高可靠性及高qiang度的要求越來越高，從而發(fā)展了一系列新型光學(xué)薄膜及其制備技術(shù)，并為解決光學(xué)薄膜產(chǎn)業(yè)化面臨的問題提供了quan面的解決方案。包括高qiang度激光器、金剛石及類金剛石膜、軟X射線多層膜、太陽能選擇性吸收膜和光通信用光學(xué)膜等。重慶旭日光學(xué)鍍膜設(shè)備光學(xué)鍍膜設(shè)備抽真空步驟。

【光譜特性不良產(chǎn)生的原因】膜系設(shè)計時的膜厚、折射率允差太小，試制時的分光曲線在技術(shù)要求的邊緣，制造中稍有偏差就導(dǎo)致分光不良。設(shè)計的膜料折射率與實際的折射率有差異,或發(fā)生了變異。實被的中心波長(膜厚)與希望達到的中心波長(膜厚)有差異,或發(fā)生了変異。( tooling值(也有F值)有偏差)。制造中出了差錯;如膜料用錯、程序用錯、預(yù)熔時沒關(guān)擋板等。工藝條件改變:真空度、充氧星、加熱溫度、蒸發(fā)速率、基片旋轉(zhuǎn)速度、離子輔助條件等。材料變更,如不同廠家生產(chǎn)的同種光學(xué)材料(基片材料和膜料)在光學(xué)性能化學(xué)性能有所不同(有時同廠家不同生產(chǎn)批次也有不同),生產(chǎn)過程中(特別是大批量生產(chǎn))材料突然變更(末作論證),就可能造成分光不良。 用于測試分光的比較片表面特性變異,造成分光測試不良(也許鏡片的分光是OK的,可以比較二者的反射膜se)。這也許是容易忽視的一個問題,又是一個常見的可題,特別是高折射率的測試比較片表面形成一層腐蝕層,相當于有了一層減反膜(很薄),膜層不是堆積在基片上,而是堆積在蝕層上,于是比較片上的分光就會不準確、不穩(wěn)定。

【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場,而磁場是曲線型的,對數(shù)電場用于同軸圓柱形靶;均勻電場用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場影響而加速飛向基材,在此過程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場影響會移動到陰極(也就是濺射靶),同時用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時,在磁場的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運動.該電子不但運動路徑長,還是被電磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對靶材進行轟擊,所以說磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 光學(xué)鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。

【如何改善光譜特性不良】工作現(xiàn)場所用膜料、芯片、硝材生產(chǎn)廠家、型號一旦確認不要經(jīng)常變更,必須變更的應(yīng)該多次確認。杜絕、避兔作業(yè)過失的發(fā)生。強每罩鏡片的分光測試監(jiān)控,設(shè)置警戒分光曲線,及時調(diào)整膜系。測試比較片管理加強,確保進軍鍍膜的測試比較片表面無污染、新鮮、外觀達到規(guī)定要求。在使用前,對比較片作一次測試,測定其反射率(只測一個波長點就可以)測定值與理論之比較?一般測定值小于理論值(虜蝕層影響),如果二值之間差異較大(比如大于1%)就應(yīng)該考慮對比較片再復(fù)新、或更換。鏡片的分光測試要在基片完全冷卻后進行。掌握晶控片敏感度變化規(guī)律,及時修正控制數(shù)據(jù)。晶控片在新的時候與使用了若干罩后的感度是不完全一樣的,芯片的聲阻抗值會有微小變化。有些品控儀(如C5)可以設(shè)置自動修正,而大部分品控儀沒有自動修正聲阻抗值的功能。掌握了品片敏感度的規(guī)律可以在膜原設(shè)置上矯正。改善晶控探頭的冷卻效果,晶片在溫度大于50C時,測量誤差較大。采用離子輔助鍍膜的工藝,可以提高成膜分光特件的穩(wěn)定性。檢討該膜系在該機臺的光控適用性。檢討光控中的人為影響。經(jīng)常檢查光控的光路、信號、測試片等。光學(xué)鍍膜設(shè)備操作培訓(xùn)。天津光學(xué)鍍膜設(shè)備名稱

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【霍爾離子源的工作原理】工作氣體或反應(yīng)氣體由陽極底部進入放電區(qū)內(nèi)參與放電，放電區(qū)內(nèi)由磁鐵產(chǎn)生如圖所示的錐形磁場，在放電區(qū)的上部安裝有補償或中和陰極。根據(jù)工作要求該型號離子源的工作氣體為氬氣，反應(yīng)氣體可以使用氮氣、氧氣或碳氫等多種氣體。放電區(qū)上部陰極燈絲加熱后產(chǎn)生熱電子，當離子源的陽極施以正電位+U時，電子在電場作用下向陽極運動，由于磁場的存在，電子繞磁力線以螺旋軟道前進，與工作氣體或反應(yīng)氣體的原子發(fā)生碰撞使其離化。離子在霍爾電場的作用下被加速獲得相應(yīng)的能量，與燈絲熱陰極發(fā)射的部分熱電子形成近等離子體，由等離子體源發(fā)射出來與基片發(fā)生作用達到清洗和輔助鍍膜的目的。上海光學(xué)鍍膜設(shè)備發(fā)展

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