【什么是薄膜干涉】薄膜可以是透明固體、液體或由兩塊玻璃所夾的氣體薄層。入射光經(jīng)薄膜上表面反射后得第yi束光，折射光經(jīng)薄膜下表面反射，又經(jīng)上表面折射后得第二束光，這兩束光在薄膜的同側(cè)，由同一入射振動(dòng)分出，是相干光，屬分振幅干涉。若光源為擴(kuò)展光源(面光源)，則只能在兩相干光束的特定重疊區(qū)才能觀察到干涉，故屬定域干涉。對(duì)兩表面互相平行的平面薄膜，干涉條紋定域在無窮遠(yuǎn)，通常借助于會(huì)聚透鏡在其像方焦面內(nèi)觀察;對(duì)楔形薄膜，干涉條紋定域在薄膜附近。 實(shí)驗(yàn)和理論都證明，只有兩列光波具有一定關(guān)系時(shí)，才能產(chǎn)生干涉條紋，這些關(guān)系稱為相干條件。薄膜的想干條件包括三點(diǎn)： 兩束光波的頻率相同; 束光波的震動(dòng)方向相同; 兩束光波的相位差保持恒定。薄膜干涉兩相干光的光程差公式為：　Δ=ntcos(α) ± λ/2 　　式中n為薄膜的折射率;t為入射點(diǎn)的薄膜厚度;α為薄膜內(nèi)的折射角;λ/2是由于兩束相干光在性質(zhì)不同的兩個(gè)界面(一個(gè)是光疏介質(zhì)到光密介質(zhì)，另一個(gè)是光密介質(zhì)到光疏介質(zhì))上反射而引起的附加光程差。薄膜干涉原理廣fan應(yīng)用于光學(xué)表面的檢驗(yàn)、微小的角度或線度的精密測(cè)量、減反射膜和干涉濾光片的制備等。 光學(xué)鍍膜設(shè)備的工作原理。山西濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備

【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場(chǎng),而磁場(chǎng)是曲線型的,對(duì)數(shù)電場(chǎng)用于同軸圓柱形靶;均勻電場(chǎng)用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場(chǎng)影響而加速飛向基材,在此過程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時(shí)產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場(chǎng)影響會(huì)移動(dòng)到陰極(也就是濺射靶),同時(shí)用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會(huì)沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時(shí),在磁場(chǎng)的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運(yùn)動(dòng).該電子不但運(yùn)動(dòng)路徑長,還是被電磁場(chǎng)理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對(duì)靶材進(jìn)行轟擊,所以說磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 江西af光學(xué)鍍膜設(shè)備光學(xué)鍍膜設(shè)備相關(guān)資料。

【光學(xué)鍍膜加工需要注意什么】當(dāng)光線進(jìn)入不同傳遞物質(zhì)時(shí)（如由空氣進(jìn)入玻璃），大約有5%會(huì)被反射掉，在光學(xué)瞄準(zhǔn)鏡中有許多透鏡和折射鏡，整個(gè)加起來可以讓入射光線損失到達(dá)30%至40%?，F(xiàn)代光學(xué)透鏡通常都鍍有單層或多層氟化鎂的增透膜，單層增透膜可使反射減少至1.5%，多層增透膜則可讓反射降低至0.25%，所以整個(gè)瞄準(zhǔn)鏡如果加以適當(dāng)鍍膜，光線透穿率可達(dá)95%，鍍了單層增透膜的鏡片通常是藍(lán)紫se或是紅se，鍍多層增透膜的鏡片則呈淡綠se或暗紫se。 光學(xué)鍍膜機(jī)增透膜增加透射光強(qiáng)度的實(shí)質(zhì)是作為電磁波的光波在傳播在過程中，在不同介質(zhì)的分界面上，由于邊界條件的不同，改變了其能量的分布，對(duì)于單層薄膜來說，當(dāng)增透膜兩邊介質(zhì)不同時(shí)，薄膜厚度為1/4波長的奇數(shù)倍且薄膜的折射率n=（n1*n2）^（1/2）時(shí)（分別是介質(zhì)1、2的折射率），才可以使入射光全部透過介質(zhì)。一般光學(xué)透鏡都是在空氣中使用，對(duì)于一般折射率在1.5左右的光學(xué)玻璃，為使單層膜達(dá)到100%的增透效果，可使n1=1.23，或接近1.23

【霍爾離子源的工作原理】工作氣體或反應(yīng)氣體由陽極底部進(jìn)入放電區(qū)內(nèi)參與放電，放電區(qū)內(nèi)由磁鐵產(chǎn)生如圖所示的錐形磁場(chǎng)，在放電區(qū)的上部安裝有補(bǔ)償或中和陰極。根據(jù)工作要求該型號(hào)離子源的工作氣體為氬氣，反應(yīng)氣體可以使用氮?dú)?、氧氣或碳?xì)涞榷喾N氣體。放電區(qū)上部陰極燈絲加熱后產(chǎn)生熱電子，當(dāng)離子源的陽極施以正電位+U時(shí)，電子在電場(chǎng)作用下向陽極運(yùn)動(dòng)，由于磁場(chǎng)的存在，電子繞磁力線以螺旋軟道前進(jìn)，與工作氣體或反應(yīng)氣體的原子發(fā)生碰撞使其離化。離子在霍爾電場(chǎng)的作用下被加速獲得相應(yīng)的能量，與燈絲熱陰極發(fā)射的部分熱電子形成近等離子體，由等離子體源發(fā)射出來與基片發(fā)生作用達(dá)到清洗和輔助鍍膜的目的。離子光學(xué)鍍膜設(shè)備是什么？

【如何改善由于設(shè)計(jì)膜系導(dǎo)致的光譜特性不良】膜系設(shè)計(jì)時(shí)的膜厚、折射率允差太小，試制時(shí)的分光曲線在技術(shù)要求的邊緣，制造中稍有偏差就導(dǎo)致分光不良。膜系設(shè)計(jì)中選用膜料的折射率應(yīng)與使用膜料使用機(jī)臺(tái)吻合。膜系設(shè)計(jì)盡量考慮厚度與折射率允差(各層的厚度及折射率允許偏差1%-2%)，特別是敏感層，要有一定的允差(1%)?？刂坪穸扰c實(shí)際測(cè)試厚度的" tooling"值，要準(zhǔn)確,并經(jīng)常確認(rèn)調(diào)整。設(shè)計(jì)的技術(shù)要求必須高于圖紙?zhí)岢龅募夹g(shù)要求，設(shè)計(jì)時(shí)考慮基片變異層折射率變化帶來的影響，設(shè)計(jì)時(shí)考慮膜料的折射率変化及膜料之間、膜料與基片之間的匹配。光學(xué)鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。上海光學(xué)鍍膜設(shè)備管理

光學(xué)鍍膜設(shè)備故障解決方法？山西濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備

【光譜分光不良的具體情況】分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后方法正確,補(bǔ)救的成功率比較高中斷的原因形式不一： ①停電 ②機(jī)器故障 ③人為中斷(發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤、疑問后中斷) 中斷后信息： （一）知道鍍到第幾層,已鍍各層的膜厚； （二）知道到第幾層,*后一層膜的膜厚不確定； （三）不知道鍍了多少。 山西濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備

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