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浙江真空鍍膜設(shè)備廠家電話價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-21

【離子鍍膜法之活性反應(yīng)蒸鍍法】:活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化;依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮?dú)狻⒁胰驳确磻?yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,要對基板加熱,蒸鍍效率高,能獲得三氧化鋁(AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜;可用于鍍機(jī)械制品、電子器件、裝飾品。【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】:空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化;依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,要對基板加熱,離化率高,電子束斑較大,能鍍金屬膜、介質(zhì)膜。錦成國泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣?浙江真空鍍膜設(shè)備廠家電話價(jià)格

【真空鍍膜真空濺射法】:真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展,濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展,在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為:稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下,對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊,把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有一定的動能,沿一定的方法射向基體表面,在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為:鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng);鍍膜層致密、均勻;設(shè)備簡單,操作方便,容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。上海金華真空鍍膜設(shè)備哪種好真空鍍膜設(shè)備相關(guān)資料。

    【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】:現(xiàn)象:鍍膜完成后,表面有一些淡淡的白霧,用丙tong或混合液擦拭,會有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭,可以擦掉或減輕??赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問題,外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散,外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過大,膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差:鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過大4.潮氣:鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過重6.蒸鍍中充氧不完全,膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路:膜外白霧成因很多但各有特征,盡量對癥下藥。主要思路,一是把膜做的致密光滑些不容易吸附,二是改善環(huán)境減少吸附的對象。改善對策:1.改善膜系,外層加二氧化硅,使膜表面光滑,不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧(加大),改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率,改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜,改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。

【真空鍍膜設(shè)備使用步驟】1電控柜的操作1)開水泵、氣源2)開總電源3)開維持泵、真空計(jì)電源,真空計(jì)檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4)開機(jī)械泵、予抽,開渦輪分子泵電源、啟動,真空計(jì)開關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。5)觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。2DEF-6B電子槍電源柜的操作1)打開總電源2)同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源:按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān),延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮,三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅,若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障,保護(hù)燈會常亮。3)開高壓,高壓會達(dá)到10KV以上,調(diào)節(jié)束流可到200mA左右,簾柵為20V/100mA,燈絲電流1.2A,偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動。3關(guān)機(jī)順序1)關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。2)待分子泵顯示到50時(shí),依次關(guān)高閥、前級、機(jī)械泵,這期間約需40分鐘。3)到50以下時(shí),再關(guān)維持泵。真空鍍膜設(shè)備是什么?

【離子鍍膜法介紹】: 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有:輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。真空鍍膜設(shè)備品牌有很多,你如何選擇?江蘇真空鍍膜設(shè)備 pdf

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