【真空鍍膜之真空的概念】：“真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個大氣壓力的氣體狀態(tài)，也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài)，就意味著該空間具有不同的分子密度。在標準狀態(tài)（STP：即0℃，101325Pa，也就是1標準大氣壓，760Torr）下，氣體的分子密度為2.68E24/m3，而在真空度為1.33E&4Pa（1E&6Torr）時，氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒有氣體的空間狀態(tài)為Jue對真空。Jue對真空實際上是不存在的。真空鍍膜機為什么會越來越慢？山西領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域
【真空鍍膜設(shè)備撿漏方法】:檢漏方法很多，根據(jù)被檢件所處的狀態(tài)可分為充壓檢漏法、真空檢漏法及其它檢漏法。充壓檢漏法：在被檢件內(nèi)部充入一定壓力的示漏物質(zhì)，如果被檢件上有漏孔，示漏物質(zhì)便從漏孔漏出，用一定的方法或儀器在被檢件外部檢測出從漏孔漏出的示漏物質(zhì)，從而判定漏孔的存在、位置及漏率的大小，此即充壓檢漏法。真空檢漏法：被檢件和檢漏器的敏感元件處于真空狀態(tài)，在被檢件的外部施加示漏物質(zhì)，如果有漏孔，示漏物質(zhì)就會通過漏孔進入被檢件和敏感元件的空間，由敏感元件檢測出示漏物質(zhì)，從而可以判定漏孔的存在、位置利漏率的大小，這就是真空檢漏法。其它檢漏法：被檢件既不充壓也不抽真空，或其外部受壓等方法歸入其它檢漏法。背壓法就是其中主要方法之一。所謂“背壓檢漏法”是利用背壓室先將示漏氣體由漏孔充入被檢件，然后在真空狀態(tài)下使示漏氣體再從被檢件中漏出．以某種方法(或檢漏儀)檢測漏出的示漏氣體，判定被檢件的總漏率的方法。 天津pvd真空鍍膜設(shè)備排名真空鍍膜機詳細鍍膜方法。
【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時間，更高的沉積量和更短沉積周期。
【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜強度】：膜強度時鏡片鍍膜的一項重要指標，也是鍍膜工序Zui常見的不良項。膜強度的不良（膜弱）主要表現(xiàn)為：1.擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生成片脫落2.擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生點狀脫落3.水煮15分鐘后用專yong膠帶拉撕產(chǎn)生點狀或片狀脫落4.用專yong橡皮頭、1Kg力摩擦40次，有道子產(chǎn)生5.膜層擦拭或未擦拭出現(xiàn)龜裂紋、網(wǎng)狀細道子改善思路：基片與膜層的結(jié)合是首要考慮的，其次是膜表面硬度光滑度以及膜應力。真空鍍膜設(shè)備大概多少錢一臺？
【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】:真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點是：設(shè)備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，應用相當guang泛。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護？新疆磁控濺射真空鍍膜設(shè)備廠家
離子真空鍍膜設(shè)備是什么？山西領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域
【離子鍍膜法之活性反應蒸鍍法】：活性反應蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁(AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品?！倦x子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】：空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜。山西領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域