【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】:現(xiàn)象:鍍膜完成后,表面有一些淡淡的白霧,用丙tong或混合液擦拭,會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭,可以擦掉或減輕??赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題,外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散,外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過(guò)大,膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差:鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大4.潮氣:鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重6.蒸鍍中充氧不完全,膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路:膜外白霧成因很多但各有特征,盡量對(duì)癥下藥。主要思路,一是把膜做的致密光滑些不容易吸附,二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。改善對(duì)策:1.改善膜系,外層加二氧化硅,使膜表面光滑,不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧(加大),改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率,改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜,改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 真空鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。遼寧領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域
【真空鍍膜之真空的概念】: “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài),也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài),就意味著該空間具有不同的分子密度。在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(STP:即0℃,101325Pa,也就是1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,760Torr)下,氣體的分子密度為2.68E24/m3,而在真空度為1.33E&4 Pa(1E&6Torr)時(shí),氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒(méi)有氣體的空間狀態(tài)為Jue對(duì)真空。Jue對(duì)真空實(shí)際上是不存在的。廣東米尼真空鍍膜設(shè)備廠真空鍍膜設(shè)備常見故障及解決方法。
【濺射鍍膜定義】: 定義:所謂濺射,就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下,形成氣體等離子體(輝光放電),其中的陽(yáng)離子在電場(chǎng)力作用下高速向靶材沖擊,陽(yáng)離子和靶材進(jìn)行能量交換,使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出(其中逸出的還可能包含靶材離子)。這一整個(gè)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程,就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時(shí),將其部分能量傳輸給表層晶格原子,引起靶材中原子的運(yùn)動(dòng)。有的原子獲得能量后從晶格處移位,并克服了表面勢(shì)壘直接發(fā)生濺射;有的不能脫離晶格的束縛,只能在原位做振動(dòng)并波及周圍原子,結(jié)果使靶的溫度升高;而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖,將其臨近的原子碰撞移位,反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖,這一過(guò)程稱為級(jí)聯(lián)碰撞。級(jí)聯(lián)碰撞的結(jié)果是部分原子達(dá)到表面,克服勢(shì)壘逸出,這就形成了級(jí)聯(lián)濺射,這就是濺射機(jī)理。當(dāng)級(jí)聯(lián)碰撞范圍內(nèi)反沖原子密度不高時(shí),動(dòng)態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略,這就是線性級(jí)聯(lián)碰撞。
【真空鍍膜設(shè)備使用步驟】1電控柜的操作1)開水泵、氣源2)開總電源3)開維持泵、真空計(jì)電源,真空計(jì)檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4)開機(jī)械泵、予抽,開渦輪分子泵電源、啟動(dòng),真空計(jì)開關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。5)觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。2DEF-6B電子槍電源柜的操作1)打開總電源2)同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源:按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān),延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮,三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅,若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障,保護(hù)燈會(huì)常亮。3)開高壓,高壓會(huì)達(dá)到10KV以上,調(diào)節(jié)束流可到200mA左右,簾柵為20V/100mA,燈絲電流1.2A,偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。3關(guān)機(jī)順序1)關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。2)待分子泵顯示到50時(shí),依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵,這期間約需40分鐘。3)到50以下時(shí),再關(guān)維持泵。真空鍍膜機(jī)故障維修技巧有哪些?
【真空鍍膜設(shè)備之真空的測(cè)量】: 真空計(jì): A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對(duì)流規(guī): 用來(lái)測(cè)粗真空的真空計(jì),從大氣到1E&5Torr,精度一般在10%,皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢,受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī): 用來(lái)測(cè)高真空或超高真空的真空計(jì),熱燈絲的離子規(guī)測(cè)量范圍一般從1E&4到1E&9Torr,特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr,精度在10%~20%,燈絲在工作時(shí)遇到大氣會(huì)燒毀;冷陰極的離子規(guī)一般可以測(cè)到1E&11Torr,精度在20%~50%,特別是超高真空下測(cè)量精度很差,需要高壓電源,探頭內(nèi)有磁鐵,使用時(shí)不能用于某些無(wú)磁的場(chǎng)合。 C、電容式壓力計(jì): 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr,動(dòng)態(tài)范圍大約104范圍,比如,1Torr量程的Zui低是5E&4Torr,通常精度在讀數(shù)的0.25%,可以高到0.15%。 D、寬量程真空計(jì): 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合,兩個(gè)規(guī)可以自動(dòng)切換,在低真空時(shí)切換到皮拉尼規(guī),高真空時(shí)可切換到離子規(guī)。真空鍍膜設(shè)備操作培訓(xùn)。湖南真空鍍膜設(shè)備日本廠商
真空鍍膜設(shè)備主要用途?遼寧領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域
【離子鍍的歷史】:真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來(lái)的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來(lái)取得了巨大的進(jìn)步,我國(guó)也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程?!倦x子鍍的原理】:蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽(yáng)極,工件接陰極,當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后,蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣,在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離,從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引,猛烈地轟擊工件表面,致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后,接通蒸發(fā)源交流電源,蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā),進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子,在陰極吸引下,隨同氬離子一同沖向工件,當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過(guò)濺失離子的數(shù)量時(shí),則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。遼寧領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域