【光學(xué)鍍膜的目的】： &反射率的提高或透射率的降低 &反射率的降低或透射率的提高 &分光作用：中性分光、變色分光、偏極光分光 &光譜帶通、帶止及長波通或短波通之濾光作用 &相位改變 &液晶顯示功能之影顯 &色光顯示、色光反射、偽chao及有價(jià)證券之防止 &光波的引導(dǎo)、光開關(guān)及集體光路 a. 在膜層中，波的干涉結(jié)果，如R%, T%都是與膜質(zhì)本身和兩邊界邊的折射率率有關(guān)系，相位變化也是如此。 b. 由于干涉作用造成的反射率有時(shí)升高，有時(shí)反而降低，都要視磨蹭的折射率高于或低于基板折射率而定。若Nf>Ns,則反射率會提高（Ns為基底），若Nf

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。 遼寧大型多弧真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之停電】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之停電： 對于停電這種情況，比較好處理，只要確認(rèn)前面鍍的沒錯(cuò)，程序沒有用錯(cuò)，就可以繼續(xù)原來的程序，要注意的是：如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時(shí)，交接處要減少一些膜厚（根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少，一般時(shí)0.2~1nm左右），如果該層剩下的膜厚不足15~20秒蒸鍍時(shí)，要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不讀，通過后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運(yùn)動，在運(yùn)動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材利用率低。 紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。

【真空鍍膜設(shè)備之真空的測量】： 真空計(jì)： A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對流規(guī)： 用來測粗真空的真空計(jì)，從大氣到1E&5Torr，精度一般在10%，皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢，受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī)： 用來測高真空或超高真空的真空計(jì)，熱燈絲的離子規(guī)測量范圍一般從1E&4到1E&9Torr，特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr，精度在10%~20%，燈絲在工作時(shí)遇到大氣會燒毀；冷陰極的離子規(guī)一般可以測到1E&11Torr，精度在20%~50%，特別是超高真空下測量精度很差，需要高壓電源，探頭內(nèi)有磁鐵，使用時(shí)不能用于某些無磁的場合。 C、電容式壓力計(jì)： 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr，動態(tài)范圍大約104范圍，比如，1Torr量程的Zui低是5E&4Torr，通常精度在讀數(shù)的0.25%，可以高到0.15%。 D、寬量程真空計(jì)： 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合，兩個(gè)規(guī)可以自動切換，在低真空時(shí)切換到皮拉尼規(guī)，高真空時(shí)可切換到離子規(guī)。真空鍍膜設(shè)備故障解決方法？天津真空鍍膜設(shè)備維修技術(shù)

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【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測試比較片）實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化：再鎖定通過模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的Zui佳方案。 試鍍：根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍?nèi)舾社R片或測試片，確認(rèn)補(bǔ)色膜系的可行性。 補(bǔ)色鍍：對試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)色鍍。補(bǔ)色鍍前，確認(rèn)基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其他不良。 遼寧真空鍍膜設(shè)備哪家好

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