【離子鍍膜法之直流二極型(DCIP)】: 直流二極型(DCIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;被鍍基體作為陰極,利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升大、繞射性好、附著性好,膜結(jié)構(gòu)及形貌差,若用電子束加熱必須用差壓板;可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品。 【離子鍍膜法之多陰極型】: 多陰極型:利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,有時(shí)需要對(duì)基板加熱;可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。 真空鍍膜設(shè)備技術(shù)教程。遼寧真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域
【真空鍍膜機(jī)常見(jiàn)故障】: 一、 當(dāng)正在鍍膜室真空突然下降 1. 蒸發(fā)源水路膠圈損壞(更換膠圈) 2. 坩堝被打穿(更換坩堝) 3. 高壓電極密封處被擊穿(更換膠圈) 4. 工轉(zhuǎn)動(dòng)密封處膠圈損壞(更換膠圈) 5. 預(yù)閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞(更換二位五通閥) 6. 高閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞(更換二位五通閥) 7. 機(jī)械泵停機(jī)可能是繼電器斷開(kāi)(檢查繼電器是否工作正常) 8. 烘烤引入線電極密封處被擊穿(更換膠圈) 9. 擋板動(dòng)密封處膠圈損壞(更換膠圈) 10. 玻璃觀察視鏡出現(xiàn)裂紋、炸裂(更換玻璃) 二、長(zhǎng)期工作的鍍膜機(jī)抽真空的時(shí)間很長(zhǎng)且達(dá)不到工作真空、恢復(fù)真空、極限真空、保真空: 1. 蒸發(fā)室有很多粉塵(應(yīng)清洗) 2. 擴(kuò)散泵很久未換油(應(yīng)清洗換油) 3. 前級(jí)泵反壓強(qiáng)大太機(jī)械泵真空度太低(應(yīng)清洗換油) 4. 各動(dòng)密封膠圈損壞(更換膠圈) 5. 由于蒸發(fā)室長(zhǎng)期溫度過(guò)高使其各密封膠圈老化(更換膠圈) 6. 蒸發(fā)室各引入水路密封處是否有膠圈損壞(更換膠圈) 7. 各引入座螺釘、螺母有無(wú)松動(dòng)現(xiàn)象(重新壓緊) 8. 高低預(yù)閥是否密封可靠(注油) 遼寧真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域真空鍍膜設(shè)備為什么會(huì)越來(lái)越慢?
【真空鍍膜簡(jiǎn)介】: 真空(vacuum)是一種沒(méi)有任何物質(zhì)的空間狀態(tài),因?yàn)檎婵罩袥](méi)有介質(zhì),所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無(wú)法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國(guó)雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn),從而證明了真空是存在的?,F(xiàn)在我們所說(shuō)的真空并不是指空間內(nèi)沒(méi)有任何物質(zhì),而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài),我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空。現(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè),很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝,雖然我國(guó)的真空鍍膜技術(shù)起步較晚,但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件制造的一項(xiàng)不可或缺的技術(shù)。目前的真空鍍膜技術(shù)主要分為:真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。
【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】: 現(xiàn)象:鍍膜完成后,表面有一些淡淡的白霧,用丙tong或混合液擦拭,會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭,可以擦掉或減輕。 可能成因有: 1. 膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題,外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散,外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過(guò)大,膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差:鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大 4. 潮氣:鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重 6. 蒸鍍中充氧不完全,膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應(yīng)力 改善思路:膜外白霧成因很多但各有特征,盡量對(duì)癥下藥。主要思路,一是把膜做的致密光滑些不容易吸附,二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。 改善對(duì)策: 1. 改善膜系,外層加二氧化硅,使膜表面光滑,不易吸附。 2. 降低出罩時(shí)的鏡片溫度 3. 改善充氧(加大),改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當(dāng)降低蒸發(fā)速率,改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜,改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 真空鍍膜設(shè)備相關(guān)資料。
【真空鍍膜設(shè)備的分類(lèi)】: 這個(gè)問(wèn)題如果在十年之前,其實(shí)是很容易回答的,就是兩個(gè)大類(lèi),物理沉積設(shè)備和化學(xué)沉積設(shè)備?,F(xiàn)在這樣回答也是沒(méi)錯(cuò)的,但現(xiàn)在再這樣回答就沒(méi)辦法把事情說(shuō)清楚了,所以從應(yīng)用領(lǐng)域上可以分成以下幾類(lèi): 傳統(tǒng)光學(xué)器件(鏡片,濾光片)所用的鍍膜設(shè)備:?jiǎn)吻惑w或多腔體蒸發(fā)式鍍膜設(shè)備,濺射式鍍膜設(shè)備。 新材料領(lǐng)域的柔性設(shè)備:卷對(duì)卷柔性鍍膜設(shè)備。 光通訊行業(yè):離子束濺射鍍膜設(shè)備。 半導(dǎo)體及相似工藝:化學(xué)氣相沉積設(shè)備。 功能膜:多弧離子鍍?cè)O(shè)備,濺射設(shè)備,蒸發(fā)設(shè)備 玻璃工藝:濺射式連續(xù)線 其余的就得歸到“工藝定制設(shè)備”這個(gè)范圍里面了,例如車(chē)燈鍍膜設(shè)備,太陽(yáng)能的共蒸發(fā)設(shè)備,光纖鍍膜設(shè)備,太陽(yáng)能管設(shè)備等等 電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么?浙江陶瓷真空鍍膜設(shè)備
真空鍍膜設(shè)備培訓(xùn)資料。遼寧真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域
【近些年來(lái)出現(xiàn)的新的鍍膜方法】: 除蒸發(fā)法和濺射法外,人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn),取長(zhǎng)補(bǔ)短,發(fā)展出一些新的方法,如:等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn),特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,具有其它手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場(chǎng)的作用下被引導(dǎo)到靶上,在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源,從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵,而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比,由于磁控靶磁場(chǎng)的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同,HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵,從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 遼寧真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域
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