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浙江蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-12

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之破邊、炸裂】: 一般的鍍膜會(huì)對(duì)基片加熱,由于基片是裝架在金屬圈、碟內(nèi),由于鏡圈或碟片與鏡片(基片)的熱膨脹系數(shù)不一致,冷卻過(guò)程中會(huì)造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片,由于出罩時(shí)的溫度較高,與室溫的溫差較大,鏡片的熱應(yīng)力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對(duì)策: 1. 夾具(鏡圈、碟片)的設(shè)計(jì),在尺寸配合上要合理,充分考慮制造誤差帶來(lái)的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形,已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來(lái)哦(非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變性),不銹鋼較為理想(熱變形系數(shù)?。褪羌庸るy度大,價(jià)格貴。 4. 對(duì)于大鏡片應(yīng)降低出罩時(shí)的溫度,減少溫差,防止炸裂。 5. 如果時(shí)鏡圈,可以考慮在鏡圈上開(kāi)槽,作為緩沖。 真空鍍膜設(shè)備常見(jiàn)故障及解決方法。浙江蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】: 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題,在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱(chēng)為“斑孔”。顧名思義,膜料點(diǎn)就是蒸鍍中,大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起,有時(shí)是個(gè)別點(diǎn),嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn),大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策: 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí),防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線(xiàn)的平滑。 8. 膜料去潮,將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 四川進(jìn)口真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備怎么維修。

【磁控濺射鍍膜的歷史】: 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面,特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開(kāi)始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶原子,靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場(chǎng)影響,被束縛在靶面的等離子體區(qū)域,二次電子在磁場(chǎng)作用下繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng),在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊,電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)】: 優(yōu)點(diǎn):工藝重復(fù)性好,薄膜純度高,膜厚均勻,附著力好。 缺點(diǎn):設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,靶材利用率低。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之單片膜色不均勻】: 原因:主要是由于基片凹凸嚴(yán)重,與傘片曲率差異較大,基片上部、或下部法線(xiàn)與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大,形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈(碟片)邊緣部遮擋、鏡圈(碟片)臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會(huì)造成膜色差異問(wèn)題。 改善對(duì)策:改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可,用行星夾具 2. 選用傘片平坦(R大)的機(jī)臺(tái) 3. 根據(jù)傘片孔位分布,基片形狀,制作專(zhuān)門(mén)的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能,把蒸發(fā)源往真空室中間移動(dòng),也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈(碟片),防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對(duì)邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈(碟片) 8. 改善膜料蒸發(fā)狀況。真空鍍膜設(shè)備操作培訓(xùn)。

【離子鍍膜法介紹】: 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類(lèi)型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有:輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 真空鍍膜設(shè)備的工作原理。廣東真空鍍膜設(shè)備cvd

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【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是:在真空條件下,用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料,使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相,氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜;由于環(huán)境是真空,因此,無(wú)論是金屬還是非金屬,在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù),其特點(diǎn)是:設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,沉積速率快,膜層純度高,制膜材料及被鍍件材料范圍很廣,鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同,主要分為:電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 浙江蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備

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