【真空鍍膜設備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動葉輪將動量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對大氣排氣，需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān)，如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。 真空鍍膜設備常見故障及解決方法。遼寧怎樣操作真空鍍膜設備

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點，取長補短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。 江蘇手機真空鍍膜設備真空鍍膜設備的應用。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結(jié)構(gòu)問題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時內(nèi)外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時的真空度。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外色斑】： 色斑（也稱膜色亞克、燒蝕）是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內(nèi)色斑和膜外色斑二種。 膜外色斑改善對策： 1. 對減反膜，設計條件許可時，外層加以SiO2層，10nm左右即可（一般的外層膜是MgF2）。使外層趨于光滑、致密、減少有害物質(zhì)的侵蝕。 2. 適當降低蒸鍍速率（在一定范圍內(nèi)），提高膜層光滑度，減少吸附。 3. 鏡片在出罩后，待冷卻后再下傘和擦拭。 4. 鏡片在出罩后，放置在潔凈干燥的場合待冷卻。減少污染可能。 5. 用碳酸鈣粉，輕擦去除外層附著物。 6. 改善工作環(huán)境的濕度、溫差 7. 改善充氣口附近的環(huán)境，使充入的大氣干燥、潔凈。 8. 工作人員的個人衛(wèi)生改善 9. 檢討真空室返油狀況，防止返油。 10. 適當降低基片溫度。 11. 改善膜系，取消太薄的膜層，根據(jù)硝材特性，選擇合適的膜層材料。 真空鍍膜設備品牌推薦。

【離子鍍膜法之活性反應蒸鍍法】： 活性反應蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁( AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。 【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】： 空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。 真空鍍膜設備品牌有很多，你如何選擇？海南真空鍍膜設備出租

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【真空鍍膜反應磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理qi相沉積中的反應磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢，因而被guang泛應用，這是因為： 1、反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。 4、反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發(fā)展。 遼寧怎樣操作真空鍍膜設備

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