【離子鍍的歷史】： 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進步，我國也有將近30多年的離子鍍研究進程。 【離子鍍的原理】： 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表 面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：膜層附著力好，膜層致密，具有繞度性能，能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。 缺點：離子鍍的應(yīng)用范圍不廣；膜與基體間存在較寬的過渡界面。會有氣體分子吸附。真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。廣西真空鍍膜設(shè)備哪里生產(chǎn)

【真空鍍膜磁控濺射法】： 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0．1 Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 四川ito真空鍍膜設(shè)備錦成國泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜臟】： 顧名思義，膜層有臟。一般的膜臟發(fā)生在膜內(nèi)或膜外。臟也可以包括：灰塵點、白霧、油斑、指紋印、口水點等。 改善對策：檢討過程，杜絕臟污染。 1. 送交洗凈或擦拭的鏡片不要有過多的不良附著物。 2. 加強鍍前鏡片的洗凈率或擦凈率。 3. 改善上傘后待鍍膜鏡片的擺放環(huán)境，防止污染。 4. 養(yǎng)成上傘作業(yè)員的良好習(xí)慣，防止鏡片污染。 5. 加快真空室護板更換周期。 6. 充氣管道清潔，防止氣體充入時污染。 7. 初始排期防渦流（湍流），初始充氣防過充。 8. 鏡片擺放環(huán)境和搬運過程中避免油污、水汽。 9. 工作環(huán)境改造成潔凈車間。 10. 將鍍膜機作業(yè)面板和主機隔開，減少主機產(chǎn)生的有害物質(zhì)污染鏡片。

【真空鍍膜真空濺射法】： 真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。 主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。 真空鍍膜設(shè)備國內(nèi)有哪些產(chǎn)商？

【真空鍍膜濺射種類】： 1、反應(yīng)濺射：氧化物，氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象：①：靶材分子分裂，其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng)，形成化合物 ②：膜層性能改變 ③：靶材有可能中毒 2、二極濺射：二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù)，其中等離子體和電子均只沿著電場方向運動。 特征：①：無磁場 ②：濺射率低 ③：放電電壓高（＞500V） ④：鍍膜底物受熱溫度極易升高（＞500°C） 用途：主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射：暗區(qū)無等離子體產(chǎn)生，在磁控濺射下，電子呈螺旋形運動，不會直接沖向陽極。而是在電場力和磁場力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運動。同時獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進行能量交換，使氣體及靶材原子離子化，dada提高氣體等離子體密度，從而提高了濺射速率（可提高10—20倍）和濺射均勻性。 真空鍍膜設(shè)備操作視頻。廣西真空鍍膜設(shè)備哪里生產(chǎn)

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【真空鍍膜設(shè)備之真空的測量】： 真空計： A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對流規(guī)： 用來測粗真空的真空計，從大氣到1E&5Torr，精度一般在10%，皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢，受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī)： 用來測高真空或超高真空的真空計，熱燈絲的離子規(guī)測量范圍一般從1E&4到1E&9Torr，特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr，精度在10%~20%，燈絲在工作時遇到大氣會燒毀；冷陰極的離子規(guī)一般可以測到1E&11Torr，精度在20%~50%，特別是超高真空下測量精度很差，需要高壓電源，探頭內(nèi)有磁鐵，使用時不能用于某些無磁的場合。 C、電容式壓力計： 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr，動態(tài)范圍大約104范圍，比如，1Torr量程的Zui低是5E&4Torr，通常精度在讀數(shù)的0.25%，可以高到0.15%。 D、寬量程真空計： 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合，兩個規(guī)可以自動切換，在低真空時切換到皮拉尼規(guī)，高真空時可切換到離子規(guī)。廣西真空鍍膜設(shè)備哪里生產(chǎn)

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